TCL華星光電技術有限公司陳壽清獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉TCL華星光電技術有限公司申請的專利陣列基板及其制作方法、顯示面板獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114843285B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210441659.5，技術領域涉及：H10D86/40；該發明授權陣列基板及其制作方法、顯示面板是由陳壽清;盧馬才設計研發完成，并于2022-04-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本陣列基板及其制作方法、顯示面板在說明書摘要公布了：本申請公開了一種陣列基板及其制作方法、顯示面板，陣列基板包括襯底和有源層；有源層包括溝道部和有源部，有源部包括第一摻雜部和第二摻雜部，第二摻雜部連接第一摻雜部和溝道部，第一摻雜部的離子濃度大于第二摻雜部的離子濃度；以及在襯底至有源層的方向上，第一摻雜部的厚度尺寸大于第二摻雜部的厚度尺寸；本申請通過預先在第一有源層材料中添加離子，以及將第一有源層中第一摻雜部對應的位置的厚度尺寸設置為大于第二摻雜部對應的位置的厚度尺寸，再沉積第二有源層，從而使兩層有源層在激光退火中結晶，并且借助第一摻雜部和第二摻雜部的厚度差異形成不同的離子濃度，從而解決了采用高溫擴散式摻雜的陣列基板無法實現LDD結構的技術問題。
本發明授權陣列基板及其制作方法、顯示面板在權利要求書中公布了：1.一種陣列基板，其特征在于，包括襯底和設置于所述襯底上的有源層；其中，所述有源層包括：溝道部；有源部，設置于所述溝道部兩側，所述有源部包括第一摻雜部和第二摻雜部，所述第二摻雜部位于所述第一摻雜部和所述溝道部之間，以及所述第二摻雜部與所述溝道部和所述第一摻雜部連接，所述第一摻雜部的離子濃度大于所述第二摻雜部的離子濃度；其中，在所述襯底至所述有源層的方向上，所述第一摻雜部的厚度尺寸大于所述第二摻雜部的厚度尺寸，以及所述溝道部的厚度尺寸小于所述第二摻雜部的厚度尺寸。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人TCL華星光電技術有限公司，其通訊地址為：518132 廣東省深圳市光明新區塘明大道9-2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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