長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司張坤獲國(guó)家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司申請(qǐng)的專利三維存儲(chǔ)器及其制備方法、存儲(chǔ)系統(tǒng)獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN114664861B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-13發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202210266451.4,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10B43/50;該發(fā)明授權(quán)三維存儲(chǔ)器及其制備方法、存儲(chǔ)系統(tǒng)是由張坤;周文犀;夏志良;霍宗亮設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2022-03-17向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本三維存儲(chǔ)器及其制備方法、存儲(chǔ)系統(tǒng)在說(shuō)明書摘要公布了:本公開提供了一種三維存儲(chǔ)器及其制備方法、存儲(chǔ)系統(tǒng),涉及半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域,旨在減小陣列器件與外圍器件之間的未對(duì)準(zhǔn)誤差以及降低工藝難度。該三維存儲(chǔ)器的制備方法包括:在襯底的第一側(cè)形成疊層結(jié)構(gòu);形成貫穿疊層結(jié)構(gòu)且延伸入襯底的隔槽,并在隔槽內(nèi)填充犧牲材料;在疊層結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)形成多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu);提供外圍電路,將外圍電路與多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)鍵合;去除至少部分襯底,以暴露犧牲材料;以及,去除犧牲材料,通過隔槽,將犧牲層替換為第一導(dǎo)電層。本公開提供的制備方法,先將外圍電路與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)鍵合,然后再去除犧牲材料,制作第一導(dǎo)電層,從而減小了外圍電路與包含導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的陣列器件之間的未對(duì)準(zhǔn)誤差。
本發(fā)明授權(quán)三維存儲(chǔ)器及其制備方法、存儲(chǔ)系統(tǒng)在權(quán)利要求書中公布了:1.一種三維存儲(chǔ)器的制備方法,其特征在于,包括:在襯底的第一側(cè)形成疊層結(jié)構(gòu),所述疊層結(jié)構(gòu)包括交替設(shè)置的介質(zhì)層和犧牲層;形成貫穿所述疊層結(jié)構(gòu)且延伸入所述襯底的隔槽,并在所述隔槽的至少部分內(nèi)壁上形成第三保護(hù)層,其中,所述第三保護(hù)層至少覆蓋所述襯底暴露在所述隔槽中的表面;在所述隔槽內(nèi)填充犧牲材料;在所述疊層結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)形成多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu);所述多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中的至少部分導(dǎo)電結(jié)構(gòu)延伸入所述疊層結(jié)構(gòu);提供外圍電路,將所述外圍電路與所述多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)鍵合;去除至少部分所述襯底,以暴露出所述隔槽內(nèi)的犧牲材料;去除所述隔槽內(nèi)的犧牲材料,通過所述隔槽,將所述犧牲層替換為第一導(dǎo)電層,以使所述多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中的至少部分導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電連接至所述第一導(dǎo)電層。
如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司,其通訊地址為:430000 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)未來(lái)三路88號(hào);或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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