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龍圖騰網獲悉上海瀚薪科技有限公司申請的專利碳化硅半導體元件及半導體場效應晶體管獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114551583B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-17發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011344322.X，技術領域涉及：H10D64/27；該發明授權碳化硅半導體元件及半導體場效應晶體管是由洪建中;朱國廷;李隆盛;李傳英設計研發完成，并于2020-11-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本碳化硅半導體元件及半導體場效應晶體管在說明書摘要公布了：本發明涉及碳化硅半導體元件及半導體場效應晶體管。該半導體場效應晶體管包括一碳化硅半導體基底及一溝槽式金屬氧化物半導體場效應晶體管，該場效應晶體管包括一垂直地設置并且沿一第一水平方向穿過的溝槽、一形成于該溝槽的一內壁面的柵極絕緣層、一形成于該柵極絕緣層上的第一多晶柵極、一形成于該溝槽之外且位于該溝槽下方的屏蔽區以及一設置于該溝槽的一底壁和該屏蔽區之間的場板，該場板具有一半導體摻雜且側向地接觸一電流擴散層以在施加一反向偏壓時經由該場板空乏掉該電流擴散層的電子。

本發明授權碳化硅半導體元件及半導體場效應晶體管在權利要求書中公布了：1.一種碳化硅半導體元件，其特征在于包括： 一第一碳化硅半導體層，具有一第一導電類型； 一第二碳化硅半導體層，具有該第一導電類型，該第二碳化硅半導體層包括一設置于該第一碳化硅半導體層上的漂移層以及一設置于該漂移層上的電流擴散層； 一第三碳化硅半導體層，具有一第二導電類型，設置于該第二碳化硅半導體層的一上表面上； 一第一半導體區域，具有該第一導電類型，設置于該第三碳化硅半導體層之中； 一溝槽，垂直地穿透該第一半導體區域以及該第三碳化硅半導體層而至該第二碳化硅半導體層，且沿一第一水平方向延伸； 一第二半導體區域，具有該第二導電類型，該第二半導體區域包括多條沿一第二水平方向延伸且形成于該第三碳化硅半導體層的第一部分以及至少一設置于位在該溝槽下方的該第二碳化硅半導體層之中的第二部分，該第一部分和該第二部分彼此鄰接，第二半導體區域作為拾取部； 一柵極部，埋入于該溝槽之中，包括一形成于該溝槽的一壁面的柵極絕緣層以及一形成于該柵極絕緣層上的多晶柵極； 一第三半導體區域設置于該溝槽之外且具有該第二導電類型，包括一至少部分地形成于該第二碳化硅半導體層之中且位于該溝槽和該第二半導體區域的該第二部分之間的場板，該場板側向地接觸該電流擴散層，形成側向接面，在碳化硅半導體元件施加一反向偏壓時，經由場板空乏掉電流擴散層的電子； 一屏蔽區，具有該第二導電類型，該屏蔽區位在該溝槽下方的該第二碳化硅半導體層之中，且位于該場板之下； 以及一金屬電極，與該第一半導體區域和該柵極部接觸。

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