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龍圖騰網(wǎng)獲悉中芯國際集成電路制造(北京)有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司申請的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114530369B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-17發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202011324630.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/027；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法是由李強(qiáng)設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-11-23向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法在說明書摘要公布了：一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供待刻蝕層，所述待刻蝕層包括第一區(qū)和環(huán)繞所述第一區(qū)的第二區(qū)，所述第二區(qū)的頂部表面低于所述第一區(qū)的頂部表面；在所述待刻蝕層上形成第一圖形材料層；向所述第一圖形材料層表面注入第一離子，使位于所述第二區(qū)上的第一圖形材料層脫落，至少部分脫落的第一圖形材料層黏附至所述待刻蝕層表面形成殘留物；清洗去除所述殘留物，使位于所述第二區(qū)表面黏附不牢的第一圖形材料層在后續(xù)工藝進(jìn)行前脫離并去除，避免影響后續(xù)的刻蝕工藝過程，降低了位于晶圓邊緣的待刻蝕層高度差對后續(xù)圖形定義中刻蝕過程的影響，提高了圖形定義的準(zhǔn)確度，從而提高了器件的性能。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括： 提供待刻蝕層，所述待刻蝕層包括第一區(qū)和環(huán)繞所述第一區(qū)的第二區(qū)，所述第二區(qū)的頂部表面低于所述第一區(qū)的頂部表面； 在所述待刻蝕層上形成第一圖形材料層； 向所述第一圖形材料層表面注入第一離子，使位于所述第二區(qū)上的第一圖形材料層脫落，至少部分脫落的第一圖形材料層黏附至所述待刻蝕層表面形成殘留物； 清洗去除所述殘留物； 清洗去除所述殘留物后，在所述第一圖形材料層表面形成圖像化結(jié)構(gòu)。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中芯國際集成電路制造(北京)有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司，其通訊地址為：100176 北京市大興區(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)文昌大道18號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。