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龍圖騰網(wǎng)恭喜臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體器件和方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113451209B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-17發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202010941168.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/62；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件和方法是由張雅嵐;陳亭綱;黃泰鈞;徐志安;盧永誠(chéng)設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-09-09向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體器件和方法在說明書摘要公布了：本公開涉及半導(dǎo)體器件和方法。實(shí)施例包括一種方法，該方法包括：在半導(dǎo)體器件的金屬柵極結(jié)構(gòu)的切割金屬柵極區(qū)域中形成開口；在開口中共形地沉積第一電介質(zhì)層；在第一電介質(zhì)層之上共形地沉積硅層；對(duì)硅層執(zhí)行氧化工藝以形成第一氧化硅層；用第二氧化硅層填充開口；對(duì)第二氧化硅層和第一電介質(zhì)層執(zhí)行化學(xué)機(jī)械拋光，以形成切割金屬柵極插塞，化學(xué)機(jī)械拋光暴露出半導(dǎo)體器件的金屬柵極結(jié)構(gòu)；以及形成到金屬柵極結(jié)構(gòu)的第一部分的第一接觸件和到金屬柵極結(jié)構(gòu)的第二部分的第二接觸件，金屬柵極結(jié)構(gòu)的第一部分和第二部分被切割金屬柵極插塞分離。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件和方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用于形成半導(dǎo)體器件的方法，包括： 在半導(dǎo)體器件的金屬柵極結(jié)構(gòu)的切割金屬柵極區(qū)域中形成開口； 在所述開口中共形地沉積第一電介質(zhì)層； 在所述第一電介質(zhì)層之上共形地沉積硅層； 對(duì)所述硅層執(zhí)行氧化工藝以形成第一氧化硅層； 用第二氧化硅層填充所述開口；以及 對(duì)所述第二氧化硅層和所述第一電介質(zhì)層執(zhí)行化學(xué)機(jī)械拋光，以形成切割金屬柵極插塞，所述化學(xué)機(jī)械拋光暴露出所述半導(dǎo)體器件的金屬柵極結(jié)構(gòu)， 其中，對(duì)所述硅層執(zhí)行氧化工藝將所述硅層的全部轉(zhuǎn)換為所述第一氧化硅層，并且其中，所述第二氧化硅層被直接地形成在所述第一氧化硅層上。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國(guó)臺(tái)灣新竹市；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。