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龍圖騰網(wǎng)恭喜英飛凌科技德累斯頓公司申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體器件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN112054023B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-17發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202010473671.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/60；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件是由F·赫勒;C·法赫曼;W·凱因德爾;H·韋伯設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-05-29向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體器件在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件，其包括：半導(dǎo)體主體，其包括第一表面和在垂直方向上與第一表面相對(duì)的第二表面；以及多個(gè)晶體管單元，其至少部分集成在半導(dǎo)體主體中。多個(gè)晶體管單元中的每個(gè)包括：至少兩個(gè)源極區(qū)；第一柵電極和第二柵電極，其在第一水平方向上彼此間隔開，第一柵電極和第二柵電極中的每個(gè)都與連續(xù)主體區(qū)相鄰布置，并且與連續(xù)主體區(qū)介電絕緣；漂移區(qū)，其通過主體區(qū)與至少兩個(gè)源極區(qū)分隔開；以及至少三個(gè)接觸插塞，其在垂直方向上從主體區(qū)朝向源電極延伸，其中，至少三個(gè)接觸插塞被相繼布置在第一柵電極和第二柵電極之間，并且其中，僅分別最靠近第一柵電極和第二柵電極布置的兩個(gè)最外接觸插塞直接鄰接源極區(qū)的至少一個(gè)。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件，包括： 半導(dǎo)體主體100，所述半導(dǎo)體主體100包括第一表面101和在垂直方向y上與所述第一表面101相對(duì)的第二表面102； 多個(gè)晶體管單元30，所述多個(gè)晶體管單元30至少部分集成在所述半導(dǎo)體主體100中，所述多個(gè)晶體管單元30中的每個(gè)包括： 至少兩個(gè)源極區(qū)311、312， 第一柵電極331和第二柵電極332，所述第一柵電極331和所述第二柵電極332在第一水平方向x上彼此間隔開，所述第一柵電極331和所述第二柵電極332中的每個(gè)與連續(xù)主體區(qū)32相鄰布置，并且與所述連續(xù)主體區(qū)32介電絕緣， 漂移區(qū)35，所述漂移區(qū)35通過所述主體區(qū)32與所述至少兩個(gè)源極區(qū)311、312分隔開，以及 至少三個(gè)接觸插塞421、422、423，所述至少三個(gè)接觸插塞421、422、423在所述垂直方向y上從所述主體區(qū)32朝向源電極41延伸，其中，所述至少三個(gè)接觸插塞421、422、423相繼布置在所述第一柵電極331和所述第二柵電極332之間，并且其中，僅分別最靠近所述第一柵電極331和所述第二柵電極332布置的兩個(gè)最外接觸插塞421、423直接鄰接所述源極區(qū)311、312中的至少一個(gè)， 其中，所述至少三個(gè)接觸插塞421、422、423中的每個(gè)是細(xì)長接觸插塞，并且所述接觸插塞421、422、423中的至少一個(gè)在第二水平方向z上被分成至少兩個(gè)獨(dú)立區(qū)段。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人英飛凌科技德累斯頓公司，其通訊地址為：德國德累斯頓；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。