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龍圖騰網(wǎng)恭喜劍橋?qū)崢I(yè)有限公司;砧半導(dǎo)體有限公司申請的專利閃鋅礦結(jié)構(gòu)III族氮化物獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116259531B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-07-04發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202310334031.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/02；該發(fā)明授權(quán)閃鋅礦結(jié)構(gòu)III族氮化物是由大衛(wèi)·約翰·沃利斯;馬丁·弗倫特魯普;門諾·約翰尼斯·卡珀斯;蘇曼拉塔·莎歐塔設(shè)計研發(fā)完成，并于2018-03-29向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本閃鋅礦結(jié)構(gòu)III族氮化物在說明書摘要公布了：公開了一種制造包括001取向的閃鋅礦結(jié)構(gòu)III族氮化物層的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，例如GaN。該層形成在硅襯底上的3C?SiC層上。形成成核層，進行再結(jié)晶，然后通過MOVPE在750?1000℃范圍內(nèi)的T3溫度下形成厚度至少為0.5μm的閃鋅礦結(jié)構(gòu)Ⅲ族氮化物層。還公開了相應(yīng)的包括閃鋅礦結(jié)構(gòu)III族氮化物層的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，當通過XRD表征時，該層的大部分或全部由閃鋅礦結(jié)構(gòu)III族氮化物形成，優(yōu)先于纖鋅礦結(jié)構(gòu)III族氮化物。

本發(fā)明授權(quán)閃鋅礦結(jié)構(gòu)III族氮化物在權(quán)利要求書中公布了：1.一種制造包括（001）取向的閃鋅礦結(jié)構(gòu)III族氮化物層的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟： 提供硅襯底； 在所述硅襯底上提供3C-SiC層； 使所述3C-SiC層在800-1100°C范圍內(nèi)的T1溫度下進行氮化步驟； 在550-650°C范圍內(nèi)的T2溫度下以0.1-1nms的速率生長閃鋅礦結(jié)構(gòu)III族氮化物成核層至10-100nm范圍內(nèi)的厚度； 在800-920°C范圍內(nèi)的T3溫度下進行成核層再結(jié)晶步驟；和 通過MOVPE在800-920°C范圍內(nèi)的T3溫度下沉積和生長閃鋅礦結(jié)構(gòu)III族氮化物層至厚度至少為0.3μm； 其中所述III族氮化物層是基于InxAlyGa1-x-yN的層，其中0≤x≤1，0≤y≤1。

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