恭喜華為技術有限公司褚靜獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜華為技術有限公司申請的專利指紋識別裝置和電子設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112580415B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-17發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010356984.2，技術領域涉及：G06V40/13；該發明授權指紋識別裝置和電子設備是由褚靜;王建文;居遠道;於豐;元軍設計研發完成，并于2020-04-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本指紋識別裝置和電子設備在說明書摘要公布了：本申請實施例提供一種指紋識別裝置和電子設備，指紋識別裝置包括指紋識別模組，指紋識別模組包括指紋傳感器和超表面光學元件；超表面光學元件位于指紋傳感器的進光側，用于將指紋檢測光引導至指紋傳感器，指紋傳感器用于根據指紋檢測光以獲取手指的指紋圖像。本申請通過超表面光學元件在滿足光學指紋識別裝置的光路設計要求的基礎上，有助于減小指紋識別裝置的堆疊結構的尺寸和電子設備的輕薄化。
本發明授權指紋識別裝置和電子設備在權利要求書中公布了：1.一種指紋識別裝置，其特征在于，包括指紋識別模組，所述指紋識別模組包括指紋傳感器和超表面光學元件；所述超表面光學元件位于所述指紋傳感器的進光側，用于將指紋檢測光引導至所述指紋傳感器，所述指紋傳感器用于根據所述指紋檢測光以獲取手指的指紋圖像，所述指紋檢測光為經手指反射而形成的攜帶有指紋信息的探測光； 所述超表面光學元件包括基底和位于所述基底上的微結構陣列，所述微結構陣列包括多個微結構單元，每個所述微結構單元包括多個微結構，所述微結構的折射率大于所述基底的折射率； 所述超表面光學元件的結構周期小于等于所述指紋檢測光的12波長，所述結構周期為相鄰兩個所述微結構單元的中心之間的距離； 所述微結構的高度大于所述指紋檢測光的12波長。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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