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龍圖騰網(wǎng)恭喜深圳市明微電子股份有限公司申請(qǐng)的專利LDMOS器件以及LED驅(qū)動(dòng)芯片獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113497146B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-17發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202010255331.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/65；該發(fā)明授權(quán)LDMOS器件以及LED驅(qū)動(dòng)芯片是由方紹明;戴文芳;李照華設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-04-02向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本LDMOS器件以及LED驅(qū)動(dòng)芯片在說明書摘要公布了：一種LDMOS器件以及LED驅(qū)動(dòng)芯片，其中，LDMOS器件通過將場(chǎng)氧化層布置于漂移區(qū)的上表面，且將電阻條布置于場(chǎng)氧化層的上表面，電阻條與漂移區(qū)互不接觸，并將電阻條的第一端和漏電極連接且電阻條的第二端靠近LDMOS器件的源極，從而實(shí)現(xiàn)了在LDMOS器件集成電阻條的同時(shí)，避免了電阻條對(duì)漂移區(qū)的影響，保證了漂移區(qū)各點(diǎn)的電場(chǎng)分布均勻，避免了LDMOS擊穿電壓的降低，解決了傳統(tǒng)的技術(shù)方案中存在的無法提供一種集成漂移區(qū)電阻的LDMOS器件問題。LED驅(qū)動(dòng)芯片通過加入恒功率電路和內(nèi)部集成了電阻的LDMOS器件，在實(shí)現(xiàn)對(duì)光源的恒功率調(diào)節(jié)的同時(shí)，節(jié)省了LED驅(qū)動(dòng)芯片以及其所在的系統(tǒng)的空間。

本發(fā)明授權(quán)LDMOS器件以及LED驅(qū)動(dòng)芯片在權(quán)利要求書中公布了：1.一種LDMOS器件，其特征在于，包括： 半導(dǎo)體襯底，形成在所述半導(dǎo)體襯底上表面的漂移區(qū)； 場(chǎng)氧化層，所述場(chǎng)氧化層布置于所述漂移區(qū)的上表面；以及 電阻條，所述電阻條布置于所述場(chǎng)氧化層的中間區(qū)段的上表面，所述電阻條的第一端與所述LDMOS器件的漏電極連接，所述電阻條的第二端靠近所述LDMOS器件的源極； 還包括： 第一摻雜區(qū)，所述第一摻雜區(qū)為不同于第一導(dǎo)電類型的第二導(dǎo)電類型，所述第一摻雜區(qū)形成于所述漂移區(qū)的上表面，且與所述場(chǎng)氧化層相貼； 第二摻雜區(qū)，所述第二摻雜區(qū)為第一導(dǎo)電類型，所述第二摻雜區(qū)與所述第一摻雜區(qū)間隔地形成于所述漂移區(qū)的上表面，且與所述場(chǎng)氧化層錯(cuò)位相對(duì)；所述第二摻雜區(qū)與所述場(chǎng)氧化層相鄰設(shè)置且位于場(chǎng)氧化層的下方，所述第二摻雜區(qū)的上表面與所述第一摻雜區(qū)的上表面位于同一平面上； 所述電阻條的第一端布置于所述第一摻雜區(qū)與所述第二摻雜區(qū)之間的區(qū)域上方。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人深圳市明微電子股份有限公司，其通訊地址為：518000 廣東省深圳市南山區(qū)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園南區(qū)高新南一道015號(hào)國微研發(fā)大廈三層；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。