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龍圖騰網獲悉天目山實驗室申請的專利一種二維材料制備條件的確定方法、裝置、設備及介質獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119943236B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-20發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510430616.0，技術領域涉及：G16C60/00；該發明授權一種二維材料制備條件的確定方法、裝置、設備及介質是由周苗;智國翔;李天昭;許珂設計研發完成，并于2025-04-08向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種二維材料制備條件的確定方法、裝置、設備及介質在說明書摘要公布了：本申請公開了一種二維材料制備條件的確定方法、裝置、設備及介質，應用于二維材料制備領域。其確定方法包括：獲取目標摻雜二維材料的目標特征參數，并根據目標摻雜二維材料構建靶材模型；基于預設離子輻照模擬軟件確定初始輻照條件和靶材模型對應的模擬特征參數；當模擬特征參數與目標特征參數相同，則將初始輻照條件作為目標摻雜二維材料的目標制備條件；當模擬特征參數與目標特征參數不同，則基于差異對應的差異輻照條件對初始輻照條件進行修改，直至修改后的輻照條件對應的模擬特征參數與目標特征參數相同，并將修改后的輻照條件作為目標制備條件。由此可見，本申請提供的方法能輔助確定實驗模擬設定的離子輻照的條件，實現材料的高質量制備。

本發明授權一種二維材料制備條件的確定方法、裝置、設備及介質在權利要求書中公布了：1.一種二維材料制備條件的確定方法，其特征在于，包括：獲取目標摻雜二維材料的目標特征參數，并根據所述目標摻雜二維材料構建靶材模型；所述目標特征參數包括：目標特性參數和目標摻雜、空間參數；其中，所述目標特性參數包括：目標摻雜濃度和目標空位缺陷濃度；所述目標摻雜、空間參數包括：目標空位缺陷產生能力參數、目標替位摻雜能力參數和目標間隙摻雜能力參數；基于預設離子輻照模擬軟件確定初始輻照條件和所述靶材模型對應的模擬特征參數；所述初始輻照條件包括：變量輻照條件和非變量輻照條件；所述模擬特征參數包括：模擬特性參數和模擬摻雜、空間參數；其中，所述變量輻照條件包括：初始輻照時間和初始入射離子能量；所述非變量輻照條件包括：初始離子種類、初始輻照角度和初始輻照強度；所述模擬特性參數包括：模擬摻雜濃度和模擬空位缺陷濃度；所述模擬摻雜、空間參數包括：模擬空位缺陷產生能力參數、模擬替位摻雜能力參數和模擬間隙摻雜能力參數；所述初始輻照條件包括：變量輻照條件和非變量輻照條件；當所述模擬特征參數與所述目標特征參數相同，則將所述初始輻照條件作為所述目標摻雜二維材料的目標制備條件；當所述模擬特征參數與所述目標特征參數不同，則基于差異對應的差異輻照條件對所述初始輻照條件進行修改，直至修改后的輻照條件對應的所述模擬特征參數與所述目標特征參數相同，并將所述修改后的輻照條件作為所述目標制備條件；其中，所述當所述模擬特征參數與所述目標特征參數不同，則基于差異對應的差異輻照條件對所述初始輻照條件進行修改，包括：若所述模擬空位缺陷產生能力參數、所述模擬替位摻雜能力參數和所述模擬間隙摻雜能力參數與對應的所述目標空位缺陷產生能力參數、所述目標替位摻雜能力參數和所述目標間隙摻雜能力參數均不相同，則基于差異對應的差異入射離子能量對所述初始入射離子能量進行修改；若所述模擬摻雜濃度和所述模擬空位缺陷濃度與對應的所述目標摻雜濃度和所述目標空位缺陷濃度均不相同，則基于差異對應的差異輻照時間對所述初始輻照時間進行修改。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人天目山實驗室，其通訊地址為：310000 浙江省杭州市余杭區五常街道西溪八方城11幢3-14層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。