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龍圖騰網(wǎng)獲悉東莞市通科電子有限公司申請的專利一種集成電路的平面凸點(diǎn)式封裝工藝獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119918366B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-20發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510413392.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G06F30/23；該發(fā)明授權(quán)一種集成電路的平面凸點(diǎn)式封裝工藝是由鐘平權(quán);郭曉明;胡金權(quán);彭奇;曹永春設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-04-03向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種集成電路的平面凸點(diǎn)式封裝工藝在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種集成電路的平面凸點(diǎn)式封裝工藝，包含：輸入芯片功耗及頻率等約束條件，生成梯度凸點(diǎn)拓?fù)洌ㄟ^多物理場仿真模型驗證；將梯度凸點(diǎn)拓?fù)鋬?yōu)化后的凸點(diǎn)參數(shù)映射至光刻掩膜版設(shè)計，生成坐標(biāo)文件；導(dǎo)入梯度凸點(diǎn)拓?fù)鋬?yōu)化后的凸點(diǎn)參數(shù)，構(gòu)建薄晶圓的有限元模型，預(yù)測植球壓力下的翹曲趨勢，生成補(bǔ)償系數(shù)庫；實時掃描薄晶圓表面，比對實際形變與孿生預(yù)測數(shù)據(jù)，動態(tài)調(diào)整機(jī)械臂路徑，得到薄晶圓的實際位置和對位信息；通過多物理場仿真模型和對位信息實時計算電流密度與熱流密度分布，依據(jù)實測參數(shù)反向優(yōu)化凸點(diǎn)高度與間距。本發(fā)明保證集成電路封裝的高性能和可靠性，可以最大程度地優(yōu)化封裝結(jié)構(gòu)，提高產(chǎn)品的質(zhì)量和壽命。

本發(fā)明授權(quán)一種集成電路的平面凸點(diǎn)式封裝工藝在權(quán)利要求書中公布了：1.一種集成電路的平面凸點(diǎn)式封裝工藝，其特征在于，包含以下步驟：集成半導(dǎo)體材料、凸點(diǎn)金屬及基板的物性參數(shù)，建立描述在不同熱-力-電作用下半導(dǎo)體材料行為和響應(yīng)矩陣；輸入芯片功耗及頻率約束條件，生成梯度凸點(diǎn)拓?fù)洌ㄟ^多物理場仿真模型驗證；將梯度凸點(diǎn)拓?fù)鋬?yōu)化后的凸點(diǎn)參數(shù)映射至光刻掩膜版設(shè)計，生成坐標(biāo)文件；導(dǎo)入梯度凸點(diǎn)拓?fù)鋬?yōu)化后的凸點(diǎn)參數(shù)，構(gòu)建薄晶圓的有限元模型，生成指導(dǎo)機(jī)械臂在實際植球過程中動態(tài)調(diào)整的補(bǔ)償系數(shù)庫；實時掃描薄晶圓表面，動態(tài)調(diào)整機(jī)械臂路徑，得到薄晶圓的實際位置和對位信息；通過多物理場仿真模型和對位信息實時計算電流密度與熱流密度分布，依據(jù)實測參數(shù)反向優(yōu)化凸點(diǎn)高度與間距；得到薄晶圓的實際位置和對位信息的過程，包含以下步驟：基于優(yōu)化后的凸點(diǎn)參數(shù)，建立薄晶圓的有限元模型，模擬薄晶圓在植球壓力下的行為，預(yù)測出現(xiàn)的翹曲現(xiàn)象；進(jìn)行薄晶圓表面掃描，實時獲取新的薄晶圓表面的實際形變數(shù)據(jù)；將實際形變數(shù)據(jù)與有限元模型預(yù)測數(shù)據(jù)進(jìn)行比對，確定實際形變與預(yù)測之間的偏差；基于偏差動態(tài)調(diào)整機(jī)械臂的路徑，凸點(diǎn)對位到目標(biāo)焊盤上。

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