恭喜福建省晉華集成電路有限公司童宇誠獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜福建省晉華集成電路有限公司申請的專利半導體器件及其電接觸結構、制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111640748B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-07-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910927008.5，技術領域涉及：H10B12/00；該發明授權半導體器件及其電接觸結構、制造方法是由童宇誠;賴惠先設計研發完成，并于2019-09-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件及其電接觸結構、制造方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種半導體器件及其電接觸結構、制造方法，通過將核心區中至少最靠近所述周邊區的第一個接觸插塞形成于核心區和周邊區的交界處的隔離結構上方并與該隔離結構接觸，且可以使得第一個接觸插塞的底部完全重疊在該隔離結構上，或者，一部分底部與該隔離結構重疊，另一部分底部與緊挨該隔離結構的核心區的有源區重疊，甚至使得第一個接觸插塞的頂部至少與緊挨該隔離結構的核心區的有源區上方的接觸插塞的頂部相聯在一起，由此，可以使得原先在核心區邊界最外側上形成的電學結構至少部分形成于交界處的隔離結構上方，進而保證核心區內部中的接觸插塞上方的電學結構的一致性以及保證核心區邊界上的電學結構的性能。
本發明授權半導體器件及其電接觸結構、制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的電接觸結構，其特征在于，所述電接觸結構包括： 一襯底，所述襯底具有核心區和周邊區以及位于所述核心區和周邊區的交界處的隔離結構； 多個接觸插塞，形成于所述核心區和所述隔離結構的上方； 其中，至少最靠近所述周邊區的第一個接觸插塞，形成于所述隔離結構上方并與所述隔離結構接觸，其余的接觸插塞形成于所述核心區的核心元件的上方且底部與相應的所述核心元件的有源區接觸，且所述第一個接觸插塞與其最近鄰的形成在所述核心區上方的至少一個接觸插塞的頂部相聯在一起以形成相應的組合接觸結構，所述組合接觸結構上方還形成有相應的電學結構。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人福建省晉華集成電路有限公司，其通訊地址為：362200 福建省泉州市晉江市集成電路科學園聯華大道88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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