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龍圖騰網(wǎng)獲悉新磊半導(dǎo)體科技(蘇州)股份有限公司申請(qǐng)的專利一種分子束外延工藝中的脫膜方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119913614B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-20發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510393161.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C30B25/18；該發(fā)明授權(quán)一種分子束外延工藝中的脫膜方法是由郭帥;蔣建設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-03-31向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種分子束外延工藝中的脫膜方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種分子束外延工藝中的脫膜方法，涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：在預(yù)設(shè)As壓條件下，將InP襯底升溫至第一脫膜溫度；在第一脫膜溫度下保持第一時(shí)間段；從第一脫膜溫度升溫至第二脫膜溫度；在第二脫膜溫度下保持第三時(shí)間段，然后脫膜過程結(jié)束。本方法通過在比基準(zhǔn)溫度略低的第一脫膜溫度下保持第一時(shí)間段，對(duì)襯底進(jìn)行充分加熱的同時(shí)，減少了磷的脫附，由于充分加熱，減少了第二脫膜溫度下表面氧化物完全脫附所需的時(shí)間，從而能夠顯著減少外延片表面缺陷，改善外延片表面質(zhì)量。

本發(fā)明授權(quán)一種分子束外延工藝中的脫膜方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種分子束外延工藝中的脫膜方法，其特征在于，所述方法用于對(duì)InP襯底進(jìn)行脫膜，所述方法包括：步驟a、在預(yù)設(shè)As壓條件下，將InP襯底升溫至第一脫膜溫度，第一脫膜溫度比預(yù)先獲得的基準(zhǔn)溫度低4℃至6℃，基準(zhǔn)溫度為在預(yù)設(shè)As壓條件下將InP襯底加熱升溫至RHEED圖案出現(xiàn)×4再構(gòu)條紋時(shí)的襯底溫度，預(yù)設(shè)As壓的壓強(qiáng)范圍為：大于或等于1×10-6Torr，并且小于或等于6×10-6Torr；步驟b、在第一脫膜溫度下保持第一時(shí)間段，第一時(shí)間段t1的范圍為6min≤t1≤14min；步驟c、從第一脫膜溫度升溫至第二脫膜溫度，該升溫過程所需的時(shí)間為第二時(shí)間段，第二時(shí)間段t2的范圍為0.5min≤t2≤2min，第二脫膜溫度減去基準(zhǔn)溫度之差的范圍為大于或等于零并且小于或等于15℃；步驟d、在第二脫膜溫度下保持第三時(shí)間段，然后脫膜過程結(jié)束。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人新磊半導(dǎo)體科技(蘇州)股份有限公司，其通訊地址為：215151 江蘇省蘇州市高新區(qū)建林路666號(hào)出口加工區(qū)配套工業(yè)園28號(hào)廠房；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。