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龍圖騰網(wǎng)恭喜朗姆研究公司申請(qǐng)的專利抗蝕劑的干式顯影獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113227909B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-07-04發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：201980085227.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G03F7/36；該發(fā)明授權(quán)抗蝕劑的干式顯影是由鮑里斯·沃洛斯基;蒂莫西·威廉·威德曼;薩曼莎·西亞姆華·坦;吳呈昊;凱文·顧設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-12-19向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本抗蝕劑的干式顯影在說(shuō)明書摘要公布了：抗蝕劑的干式顯影可使用于例如在高分辨率圖案化中形成圖案化掩模。干式顯影可有利地通過(guò)半導(dǎo)體襯底的處理方法來(lái)實(shí)現(xiàn)，該方法包括：在處理室中將已光圖案化的抗蝕劑提供至半導(dǎo)體襯底上的襯底層上；以及通過(guò)以下方式對(duì)所述已光圖案化的抗蝕劑進(jìn)行干式顯影：通過(guò)包括暴露于化學(xué)化合物以形成抗蝕劑掩模的干式顯影處理來(lái)去除所述抗蝕劑的已暴露部分或未暴露部分。所述抗蝕劑可以是EUV敏感的含有機(jī)金屬氧化物或有機(jī)金屬的薄膜EUV抗蝕劑。

本發(fā)明授權(quán)抗蝕劑的干式顯影在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體襯底的處理方法，其包括： 在處理室中將EUV圖案化抗蝕劑提供至半導(dǎo)體襯底上的襯底層上,其中，所述EUV圖案化抗蝕劑包含未暴露的有機(jī)金屬氧化物部分和已暴露的金屬氧化物部分，其中有機(jī)取代基通過(guò)EUV曝光裂解； 通過(guò)干式顯影處理去除所述EUV圖案化抗蝕劑的已暴露部分或未暴露部分對(duì)所述EUV圖案化抗蝕劑進(jìn)行干式顯影以形成抗蝕劑掩模，所述干式顯影處理包括將抗蝕劑暴露于在有機(jī)金屬氧化物部分和金屬氧化物部分之間具有選擇性的化學(xué)化合物中。

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