臺灣積體電路制造股份有限公司江欣哲獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導(dǎo)體裝置及其制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN110610903B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-24發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201910043132.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/01；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置及其制造方法是由江欣哲;黃如立;梁春昇;葉震亞設(shè)計研發(fā)完成，并于2019-01-17向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本半導(dǎo)體裝置及其制造方法在說明書摘要公布了：本公開實施例提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括：形成第一和第二氮化硅部件于一接觸孔的側(cè)壁表面上，所述接觸孔設(shè)置于一介電層中和一源極漏極SD部件上方。此方法還包括形成一接觸插塞于接觸孔中，所述接觸插塞與源極漏極部件電耦合，移除接觸插塞的一頂部以在接觸孔中創(chuàng)造一凹部，形成一硬罩幕層于凹部中，以及通過選擇性蝕刻移除第一和第二氮化硅部件以分別形成第一和第二氣隙。本公開還提供了一種半導(dǎo)體裝置。
本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括： 形成一第一氮化硅部件和一第二氮化硅部件于一接觸孔的側(cè)壁表面上，該接觸孔設(shè)置于一介電層中和一源極漏極部件上方； 形成一接觸插塞于該接觸孔中，該接觸插塞與該源極漏極部件電耦合； 移除該接觸插塞的一頂部以在該接觸孔中創(chuàng)造一凹部； 形成一硬罩幕層于該凹部中；以及 通過選擇性蝕刻移除該第一氮化硅部件和該第二氮化硅部件以分別形成一第一氣隙和一第二氣隙。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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1、本報告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關(guān)數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結(jié)論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據(jù)或者憑證。
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