買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利制造半導體器件和結構的方法以及半導體結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114122032B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-07-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110161527.2，技術領域涉及：H10F39/15；該發明授權制造半導體器件和結構的方法以及半導體結構是由梁晉瑋;陳昇照;匡訓沖;李昇展設計研發完成，并于2021-02-05向國家知識產權局提交的專利申請。

本制造半導體器件和結構的方法以及半導體結構在說明書摘要公布了：一種半導體器件的制造方法包括：接收器件襯底；在該器件襯底的正面上形成互連結構；以及將凹槽蝕刻到該器件襯底的背面中，直到互連結構的部分暴露為止。該凹槽具有凹槽深度，并且凹槽的邊緣由器件襯底的側壁限定。在凹槽中形成導電接合焊盤，并且第一多個層覆蓋導電接合焊盤，沿著器件襯底的側壁延伸，并且覆蓋器件襯底的背面。第一多個層共同具有小于凹槽深度的第一總厚度。執行第一化學機械平坦化以去除第一多個層的部分，以使得第一多個層的剩余部分覆蓋導電接合焊盤。本發明的實施例還涉及制造半導體結構的方法以及半導體結構。

本發明授權制造半導體器件和結構的方法以及半導體結構在權利要求書中公布了：1.一種制造半導體器件的方法，包括： 接收包括像素區和接合焊盤區的器件襯底； 在所述器件襯底的正面中在所述像素區中形成輻射傳感器； 在所述器件襯底的所述正面上形成互連結構，所述互連結構耦合到所述輻射傳感器； 將凹槽蝕刻到所述器件襯底的背面中，以去除所述器件襯底的所述接合焊盤區，直到暴露所述互連結構的部分為止，其中，所述凹槽具有凹槽深度，并且所述凹槽的邊緣由所述器件襯底的側壁限定； 在所述凹槽中形成導電接合焊盤，所述導電接合焊盤耦合到所述互連結構中的導電部件； 形成第一多個層，所述第一多個層覆蓋所述導電接合焊盤，對應于所述凹槽的所述邊緣而沿著所述器件襯底的所述側壁延伸，并覆蓋所述器件襯底的所述背面，其中，所述第一多個層中的每個是共形的，并且其中，所述第一多個層共同具有小于所述凹槽深度的第一總厚度； 執行第一化學機械平坦化以從所述像素區去除所述第一多個層的部分，以使得所述第一多個層的剩余部分覆蓋所述導電接合焊盤； 在所述第一化學機械平坦化之后，在所述第一多個層的所述剩余部分上方形成第二多個層，所述第二多個層覆蓋所述導電接合焊盤并覆蓋所述像素區；以及 執行第二化學機械平坦化以平坦化所述第二多個層，從而在所述接合焊盤區和所述像素區上方提供平坦化表面。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。