中芯集成電路(寧波)有限公司王金麗獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中芯集成電路(寧波)有限公司申請的專利半導體器件及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114684772B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-07-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011636664.9，技術領域涉及：B81B7/00；該發明授權半導體器件及其制作方法是由王金麗;向陽輝;劉孟彬設計研發完成，并于2020-12-31向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種半導體器件及其制作方法，其中，半導體器件，包括：襯底，襯底包括功能區；設置于襯底上的阻擋層，阻擋層與襯底圍成第一空腔和第二空腔，第一空腔暴露至少部分功能區，第二空腔位于第一空腔外圍，阻擋層設有連通第一空腔和第二空腔的釋放通道；阻擋層上開設有釋放孔，釋放孔位于第二空腔范圍內，且釋放孔與第二空腔連通。本發明通過在第一空腔外圍形成第二空腔，并通過釋放通道連通第一空腔和第二空腔，從而便于通過釋放孔去除形成第二空腔和第一空腔的釋放層材料，從而形成暴露至少部分功能區的第一空腔，另外，將釋放孔設置于第二空腔上的阻擋層上，以避免形成的保護層材料落入第一空腔內，進而確保第一空腔的潔凈程度。
本發明授權半導體器件及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，其特征在于，包括： 襯底，所述襯底包括功能區； 設置于所述襯底上的阻擋層，所述阻擋層與所述襯底圍成第一空腔和第二空腔，所述第一空腔暴露至少部分所述功能區，所述第二空腔位于所述第一空腔外圍，所述阻擋層設有連通所述第一空腔和所述第二空腔的釋放通道； 所述阻擋層上開設有釋放孔，所述釋放孔位于所述第二空腔范圍內，且所述釋放孔與所述第二空腔連通； 所述釋放通道圍成封閉的環形，位于所述第一空腔和所述第二空腔之間的所述阻擋層臨近于所述襯底的表面被暴露于所述釋放通道中；或者，所述釋放通道數量為至少一個，位于所述第一空腔和所述第二空腔之間的部分所述阻擋層臨近于所述襯底的表面被暴露于所述釋放通道中； 所述阻擋層上設有保護層，所述保護層覆蓋所述釋放孔； 所述保護層位于所述阻擋層的上表面；或者， 所述保護層位于所述阻擋層上表面及其外圍側壁。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯集成電路(寧波)有限公司，其通訊地址為：315800 浙江省寧波市北侖區小港街道安居路335號3幢、4幢、5幢；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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