北京機械設備研究所胡西紅獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉北京機械設備研究所申請的專利驅動電壓和電阻可調的SiC MOSFET驅動控制電路獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114499113B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-07-04發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202011263085.4,技術領域涉及:H02M1/08;該發明授權驅動電壓和電阻可調的SiC MOSFET驅動控制電路是由胡西紅;秦東東;吳元元;袁紅升設計研發完成,并于2020-11-12向國家知識產權局提交的專利申請。
本驅動電壓和電阻可調的SiC MOSFET驅動控制電路在說明書摘要公布了:本發明涉及一種驅動電壓和電阻可調的SiCMOSFET驅動控制電路,屬于SiCMOSFET驅動技術領域,解決了現有技術難以同時保證高增益、結構簡單、高穩定性、高效率的問題。該變換器包括控制芯片、SiCMOSFET器件、電源VG1~VG2、開關管S1~S6,電阻RG1~RG2;其中,控制芯片,用于輸出開關管S1~S6控制信號至開關管S1~S6的柵極;開關管S1、S2的漏極分別與電源VG1的正極連接;開關管S3~S5的漏極分別與電源VG1的負極、電源VG2的負極連接,并接地;開關管S6的漏極與電源VG2的正極連接;并且,開關管S1、S3的源極分別經電阻RG1與SiCMOSFET器件的柵極連接,開關管S2、S4的源極分別經電阻RG2與SiCMOSFET器件的柵極連接;開關管S5、S6的源極與SiCMOSFET器件的源極連接。該電路能夠保證SiCMOSFET器件安全可靠運行。
本發明授權驅動電壓和電阻可調的SiC MOSFET驅動控制電路在權利要求書中公布了:1.一種驅動電壓和電阻可調的SiCMOSFET驅動控制電路,其特征在于,包括控制芯片、SiCMOSFET器件、電源VG1~VG2、開關管S1~S6,電阻RG1~RG2;其中,電阻值RG1<RG2,電源電壓VG1>VG2; 控制芯片,用于輸出開關管S1~S6控制信號至開關管S1~S6的柵極; 開關管S1、S2的漏極分別與電源VG1的正極連接;開關管S3~S5的漏極分別與電源VG1的負極、電源VG2的負極連接,并接地;開關管S6的漏極與電源VG2的正極連接;并且, 開關管S1、S3的源極分別經電阻RG1與SiCMOSFET器件的柵極連接,開關管S2、S4的源極分別經電阻RG2與SiCMOSFET器件的柵極連接;開關管S5、S6的源極與SiCMOSFET器件的源極連接。
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