聯華電子股份有限公司蘇士煒獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉聯華電子股份有限公司申請的專利半導體結構及其制作方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114447217B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-07-04發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202011221313.1,技術領域涉及:H10N70/20;該發明授權半導體結構及其制作方法是由蘇士煒;林大鈞;張智偉;蔡濱祥;簡廷安設計研發完成,并于2020-11-05向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其制作方法在說明書摘要公布了:本發明公開一種半導體結構及其制作方法,其中該半導體結構包含一基底,一電阻式隨機存取存儲器位于該基底上,包含有一上電極、一下電極以及一電阻轉換層位于該上電極以及該下電極之間,以及一帽蓋層,覆蓋于該電阻式隨機存取存儲器外側,其中該帽蓋層具有一上半部分以及一下半部分,且該上半部分與該下半部分所包含的應力不同。
本發明授權半導體結構及其制作方法在權利要求書中公布了:1.一種半導體結構,其特征在于,包含: 基底; 電阻式隨機存取存儲器,位于該基底上,包含有上電極、下電極以及電阻轉換層位于該上電極以及該下電極之間,其中該電阻轉換層包含金屬氧化物;以及 帽蓋層,覆蓋于該電阻式隨機存取存儲器外側,其中該帽蓋層具有上半部分以及下半部分,且在該半導體結構未經初始化的狀態下該上半部分與該下半部分所包含的應力不同。
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