東京毅力科創(chuàng)株式會社寺嶋亮獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉東京毅力科創(chuàng)株式會社申請的專利等離子體處理方法及等離子體處理裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN112786442B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-07-04發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202011217178.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/3065；該發(fā)明授權(quán)等離子體處理方法及等離子體處理裝置是由寺嶋亮;酒井讓設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-11-04向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本等離子體處理方法及等離子體處理裝置在說明書摘要公布了：提供一種對有機膜的蝕刻形狀不良進行抑制的等離子體處理方法及等離子體處理裝置。該等離子體處理方法通過在有機膜上由含硅膜形成且具有開口部的掩模，對所述有機膜進行蝕刻，該等離子體處理方法具有：對所述掩模的形狀進行修復(fù)的工序，其中，對所述掩模的形狀進行修復(fù)的工序包括：對所述掩模的開口部的側(cè)壁進行改性的工序；以及對所述掩模的上表面進行蝕刻的工序。
本發(fā)明授權(quán)等離子體處理方法及等離子體處理裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種等離子體處理方法，其通過在有機膜上由含硅膜形成且具有開口部的掩模，對所述有機膜進行蝕刻，所述等離子體處理方法具有： 對所述掩模的形狀進行修復(fù)的工序， 其中，對所述掩模的形狀進行修復(fù)的工序包括： 對所述掩模的開口部的側(cè)壁進行改性的工序；以及 對所述掩模的上表面進行蝕刻的工序， 在對所述掩模的開口部的側(cè)壁進行改性的工序中， 將所述掩模的開口部的側(cè)壁改性為SiC。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人東京毅力科創(chuàng)株式會社，其通訊地址為：日本東京；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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1、本報告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關(guān)數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結(jié)論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔(dān)任何法律責(zé)任的依據(jù)或者憑證。
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