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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海新微技術(shù)研發(fā)中心有限公司申請(qǐng)的專利一種多層MEMS結(jié)構(gòu)及其制作方法與應(yīng)用獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114249294B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-07-04發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202011002265.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：B81B7/02；該發(fā)明授權(quán)一種多層MEMS結(jié)構(gòu)及其制作方法與應(yīng)用是由吳炫燁;關(guān)一民設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-09-22向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種多層MEMS結(jié)構(gòu)及其制作方法與應(yīng)用在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種多層MEMS結(jié)構(gòu)及其制作方法與應(yīng)用，該制作方法包括以下步驟：第一次覆膜及圖形化步驟：在襯底上覆蓋第一光敏干膜，圖形化所述第一光敏干膜，得到第一空腔于所述第一光敏干膜中；第二次覆膜及圖形化步驟：在所述第一光敏光膜上覆蓋第二光敏干膜，圖形化所述第二光敏干膜，得到第二空腔于所述第二光敏干膜中。其中，若所需層數(shù)多于兩層，可根據(jù)所需層數(shù)繼續(xù)執(zhí)行覆膜及圖形化步驟至少一次。本發(fā)明使用至少兩層光敏干膜實(shí)現(xiàn)多層MEMS結(jié)構(gòu)的制造，各層結(jié)構(gòu)更為平整，曝光更加均勻，可以減小結(jié)構(gòu)誤差，從而提高多層MEMS結(jié)構(gòu)制造的良率。該多層MEMS結(jié)構(gòu)及其制作方法可應(yīng)用于多種微結(jié)構(gòu)，包括但不限于納米孔測(cè)序芯片。

本發(fā)明授權(quán)一種多層MEMS結(jié)構(gòu)及其制作方法與應(yīng)用在權(quán)利要求書中公布了：1.一種多層MEMS結(jié)構(gòu)在納米孔測(cè)序芯片中的應(yīng)用，其特征在于：所述多層MEMS結(jié)構(gòu)采用如下所述的多層MEMS結(jié)構(gòu)的制作方法制作得到；所述納米孔測(cè)序芯片包括樣品腔、磷脂層及蛋白納米孔； 所述多層MEMS結(jié)構(gòu)的制作方法包括以下步驟： 第一次覆膜及圖形化步驟：在襯底上覆蓋第一光敏干膜，圖形化所述第一光敏干膜，得到第一空腔于所述第一光敏干膜中； 第二次覆膜及圖形化步驟： 在所述第一光敏干膜上覆蓋第二光敏干膜，圖形化所述第二光敏干膜，得到第二空腔于所述第二光敏干膜中； 所述第二空腔與所述第一空腔連通； 所述第二空腔的開口面積大于或小于所述第一空腔的開口面積； 所述襯底表面設(shè)有電極層，所述第一空腔暴露出所述電極層； 所述第一空腔及所述第二空腔作為所述樣品腔的組成部分，所述磷脂層固定于所述樣品腔的內(nèi)壁，并懸設(shè)于所述樣品腔中，所述蛋白納米孔與所述磷脂層連接，并在垂直方向上貫穿所述磷脂層。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人上海新微技術(shù)研發(fā)中心有限公司，其通訊地址為：201800 上海市嘉定區(qū)城北路235號(hào)1號(hào)樓；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。