福建省晉華集成電路有限公司張欽福獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉福建省晉華集成電路有限公司申請的專利一種半導體器件制備方法以及半導體器件獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN111916397B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-07-04發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202010842754.7,技術領域涉及:H10D84/03;該發明授權一種半導體器件制備方法以及半導體器件是由張欽福;馮立偉;童宇誠設計研發完成,并于2020-08-20向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種半導體器件制備方法以及半導體器件在說明書摘要公布了:本發明公開了一種半導體器件制備方法以及半導體器件,通過在基底上形成疊層結構,其中,基底包括單元陣列區、外圍電路區以及位于單元陣列區與外圍電路區之間的中間區域;在中間區域形成環繞單元陣列區外圍的保護環溝槽;在疊層結構中第二介電層的上表面沉積第一絕緣材料形成第二支撐層,在保護環溝槽的底表面和側壁沉積第二絕緣材料形成保護環結構;在單元陣列區形成電容結構。該方法通過先形成保護環結構,可以避免后續在單元陣列區形成電容結構時對外圍電路區的蝕刻,另外,還可以支撐單元陣列區的電極結構、提高結構的穩定性,以及對單元陣列區和外圍電路區進行物理隔離,避免電流泄漏,從而極大的提高了半導體器件的性能。
本發明授權一種半導體器件制備方法以及半導體器件在權利要求書中公布了:1.一種半導體器件制備方法,其特征在于,包括: 在基底上形成疊層結構,其中,所述疊層結構包括在所述基底上依次形成的第一介電層、第一支撐結構和第二介電層,所述基底包括單元陣列區、外圍電路區以及位于所述單元陣列區與所述外圍電路區之間的中間區域; 在所述中間區域形成環繞所述單元陣列區外圍的多個保護環溝槽; 在所述第二介電層的上表面沉積第一絕緣材料形成第二支撐層,在所述多個保護環溝槽的底表面和側壁沉積第二絕緣材料形成保護環結構;所述保護環結構包括多個保護環,所述多個保護環沿著垂直于所述基底的方向延伸,且延伸深度不相同; 在所述單元陣列區形成電容結構。
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