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龍圖騰網(wǎng)恭喜加利福尼亞大學(xué)董事會(huì)申請(qǐng)的專利用于減少蒸發(fā)和降解的處理半導(dǎo)體膜的方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113330536B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-07-04發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202080010215.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/027；該發(fā)明授權(quán)用于減少蒸發(fā)和降解的處理半導(dǎo)體膜的方法是由C.J.佐爾納;M.伊扎;J.S.斯佩克;S.納卡穆拉;S.P.登巴爾斯設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-01-24向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本用于減少蒸發(fā)和降解的處理半導(dǎo)體膜的方法在說明書摘要公布了：一種在處理期間保護(hù)由一層或多層構(gòu)成的半導(dǎo)體膜的方法。該方法包括將半導(dǎo)體膜的表面與保護(hù)性覆蓋件諸如分離的基板件的表面直接接觸，該保護(hù)性覆蓋件與半導(dǎo)體膜的表面形成氣密或氣密密封，以便在半導(dǎo)體膜中減少材料降解和蒸發(fā)。該方法包括在例如熱退火和或控制環(huán)境的一些條件下處理半導(dǎo)體膜，該條件可能在沒有保護(hù)性覆蓋件的情況下導(dǎo)致半導(dǎo)體膜的蒸發(fā)或降解。

本發(fā)明授權(quán)用于減少蒸發(fā)和降解的處理半導(dǎo)體膜的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種方法，包括： a在碳化硅SiC基板上或上方生長半導(dǎo)體膜，所述半導(dǎo)體膜包含含鋁氮化物基層； b在所述半導(dǎo)體膜的表面上放置保護(hù)性覆蓋件，所述保護(hù)性覆蓋件包含SiC基板的分離片，其中所述保護(hù)性覆蓋件的表面與所述半導(dǎo)體膜的表面形成密封，以防止所述半導(dǎo)體膜在處理期間蒸發(fā)或降解；和 c在一個(gè)或多個(gè)條件下處理所述SiC基板、所述半導(dǎo)體膜和所述保護(hù)性覆蓋件，所述一個(gè)或多個(gè)條件會(huì)使得所述半導(dǎo)體膜在沒有所述保護(hù)性覆蓋件的情況下蒸發(fā)或降解； d其中，在所述一個(gè)或多個(gè)條件下處理所述半導(dǎo)體膜以改變所述半導(dǎo)體膜的材料或特性；并且 e其中，在處理所述半導(dǎo)體膜的條件下所述保護(hù)性覆蓋件是化學(xué)惰性材料。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人加利福尼亞大學(xué)董事會(huì)，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。