紹興中芯集成電路制造股份有限公司汪旭東獲國(guó)家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉紹興中芯集成電路制造股份有限公司申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN114864485B 。
龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202210389762.X,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H01L21/768;該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法是由汪旭東設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2022-04-14向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法在說(shuō)明書摘要公布了:本公開(kāi)涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法。所述方法包括:提供基底,所述基底的表面形成有層間介質(zhì)層;刻蝕所述層間介質(zhì)層,以于所述層間介質(zhì)層內(nèi)形成初始互連孔,所述初始互連孔的底部留有部分層間介質(zhì)層;對(duì)上述所得結(jié)構(gòu)進(jìn)行熱氧化處理,以使所述初始互連孔底部的所述部分層間介質(zhì)層形成熱氧化層;通過(guò)所述熱氧化層向所述基底進(jìn)行離子注入以使基底表面形成損傷層;刻蝕所述熱氧化層,以暴露出所述基底表面的損傷層;于所述基底表面的損傷層上形成金屬層及金屬化合物層,所述金屬化合物層位于所述基底的表面,所述金屬層位于所述金屬化合物層遠(yuǎn)離所述基底的表面。采用本方法能夠改善所得半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中金屬層的宏觀形貌和微觀形貌。
本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括:提供基底,所述基底的表面形成有層間介質(zhì)層;刻蝕所述層間介質(zhì)層,以于所述層間介質(zhì)層內(nèi)形成初始互連孔,所述初始互連孔的底部留有部分層間介質(zhì)層;對(duì)上述步驟中所得結(jié)構(gòu)進(jìn)行熱氧化處理,以使所述初始互連孔底部的所述部分層間介質(zhì)層形成熱氧化層;通過(guò)所述熱氧化層向所述基底進(jìn)行離子注入以使基底表面形成損傷層;刻蝕所述熱氧化層,以暴露出所述基底表面的損傷層;于所述基底表面的損傷層上形成金屬層及金屬化合物層,所述金屬化合物層位于所述基底的表面,所述金屬層位于所述金屬化合物層遠(yuǎn)離所述基底的表面。
如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人紹興中芯集成電路制造股份有限公司,其通訊地址為:312000 浙江省紹興市越城區(qū)皋埠鎮(zhèn)臨江路518號(hào);或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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