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龍圖騰網(wǎng)獲悉紹興中芯集成電路制造股份有限公司申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114864485B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202210389762.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/768；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法是由汪旭東設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-04-14向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法在說(shuō)明書摘要公布了：本公開(kāi)涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法。所述方法包括：提供基底，所述基底的表面形成有層間介質(zhì)層；刻蝕所述層間介質(zhì)層，以于所述層間介質(zhì)層內(nèi)形成初始互連孔，所述初始互連孔的底部留有部分層間介質(zhì)層；對(duì)上述所得結(jié)構(gòu)進(jìn)行熱氧化處理，以使所述初始互連孔底部的所述部分層間介質(zhì)層形成熱氧化層；通過(guò)所述熱氧化層向所述基底進(jìn)行離子注入以使基底表面形成損傷層；刻蝕所述熱氧化層，以暴露出所述基底表面的損傷層；于所述基底表面的損傷層上形成金屬層及金屬化合物層，所述金屬化合物層位于所述基底的表面，所述金屬層位于所述金屬化合物層遠(yuǎn)離所述基底的表面。采用本方法能夠改善所得半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中金屬層的宏觀形貌和微觀形貌。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：提供基底，所述基底的表面形成有層間介質(zhì)層；刻蝕所述層間介質(zhì)層，以于所述層間介質(zhì)層內(nèi)形成初始互連孔，所述初始互連孔的底部留有部分層間介質(zhì)層；對(duì)上述步驟中所得結(jié)構(gòu)進(jìn)行熱氧化處理，以使所述初始互連孔底部的所述部分層間介質(zhì)層形成熱氧化層；通過(guò)所述熱氧化層向所述基底進(jìn)行離子注入以使基底表面形成損傷層；刻蝕所述熱氧化層，以暴露出所述基底表面的損傷層；于所述基底表面的損傷層上形成金屬層及金屬化合物層，所述金屬化合物層位于所述基底的表面，所述金屬層位于所述金屬化合物層遠(yuǎn)離所述基底的表面。

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