恭喜陜西科技大學蘇瑩獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜陜西科技大學申請的專利單晶硅上3C-SiC納米線功能復合網絡薄膜及其制備方法和應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115360263B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210998116.3，技術領域涉及：H10F71/00；該發明授權單晶硅上3C-SiC納米線功能復合網絡薄膜及其制備方法和應用是由蘇瑩;翟配郴;丁利蘋;婁瑞;尉國棟設計研發完成，并于2022-08-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本單晶硅上3C-SiC納米線功能復合網絡薄膜及其制備方法和應用在說明書摘要公布了：本發明屬于半導體納米線材料制備技術領域，公開了單晶硅上3C?SiC納米線功能復合網絡薄膜及其制備方法和應用，所述制備方法為：以單晶硅片為陰極，以碳化硅納米線懸浮液作為電泳沉積液，將單晶硅片浸于碳化硅納米線懸浮液中，于50～100V的電壓下，采用直流電進行電泳沉積處理，以在單晶硅片上形成具有均勻且致密的異質結結構的碳化硅納米線層；采用等離子體對碳化硅納米線層進行焊接處理，即獲得所述3C?SiC納米線功能復合網絡薄膜。本發明采用“自下而上”的方式制備的薄膜面積大，制備方法簡單、成本低、效率高且安全易操作，并對低維納米結構具有一定的普適性，可以借鑒到其他半導體納米薄膜的制備。
本發明授權單晶硅上3C-SiC納米線功能復合網絡薄膜及其制備方法和應用在權利要求書中公布了：1.一種單晶硅上3C-SiC納米線功能復合網絡薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：步驟1，以單晶硅片為陰極，以碳化硅納米線的懸浮液作為電泳沉積液，將單晶硅片浸于碳化硅納米線的懸浮液中，于50～100V的電壓下，采用直流電進行電泳沉積處理，以在單晶硅片上形成具有均勻且致密的異質結結構的碳化硅納米線層；其中，所述異質結結構為p-i結、p-n結和p-i-n結中的任意一種；步驟2，采用氬等離子體對碳化硅納米線層進行焊接處理，以將相鄰的納米線之間焊接形成碳化硅納米線網絡薄膜，即獲得所述3C-SiC納米線功能復合網絡薄膜。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人陜西科技大學，其通訊地址為：710021 陜西省西安市未央大學園區；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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