新加坡國立大學巴巴羅斯.歐伊爾邁茲獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉新加坡國立大學申請的專利種子層、包括所述種子層的異質結構體和使用所述種子層形成材料層的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115551801B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202180033843.X，技術領域涉及：C01B32/05；該發明授權種子層、包括所述種子層的異質結構體和使用所述種子層形成材料層的方法是由巴巴羅斯.歐伊爾邁茲;卓志達;伊凡.海德.阿比迪設計研發完成，并于2021-03-09向國家知識產權局提交的專利申請。
本種子層、包括所述種子層的異質結構體和使用所述種子層形成材料層的方法在說明書摘要公布了：描述了用于誘導成核以形成材料層106的種子層102。在一種實施方式中，種子層102包括具有如下無序原子結構的二維2D單層無定形材料的層：其適合于產生局域電子態以形成用于經由范德華vdW相互作用將吸附原子結合至種子層102的表面以形成所述材料層的電勢阱，其中所述電勢阱各自具有如下勢能：其在大小上大于周圍的熱能以將吸附原子俘獲在所述種子層的表面上。還描述了關于用于形成所述種子層的方法、包括種子層102的異質結構體100、用于形成包括所述種子層的所述異質結構體的方法300、包括所述異質結構體的器件和增強吸附原子和所述種子層的表面之間的vdW相互作用的方法的實施方式。在一種具體實施方式中，所述2D單層無定形材料的層為2D單層無定形碳。
本發明授權種子層、包括所述種子層的異質結構體和使用所述種子層形成材料層的方法在權利要求書中公布了：1.用于誘導成核以形成材料層的種子層，所述種子層包括具有如下無序原子結構的二維2D單層無定形材料的層，該無序原子結構產生2D單層無定形材料的層的應變的2D晶格并且在三維3D空間中導致2D單層無定形材料的層的原子重排以產生局域電子態以形成用于經由范德華vdW相互作用將吸附原子結合至所述種子層的表面以形成所述材料層的電勢阱，其中所述電勢阱各自具有如下勢能：其在大小上大于周圍的熱能以將吸附原子俘獲在所述種子層的表面上，其中2D單層無定形材料的層包括均質的2D單層無定形碳。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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