買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網獲悉伏達半導體(合肥)股份有限公司申請的專利無閂鎖側向IGBT裝置、制造方法及器件獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115312594B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202210413207.6，技術領域涉及：H10D12/00；該發(fā)明授權無閂鎖側向IGBT裝置、制造方法及器件是由林中;黃金彪設計研發(fā)完成，并于2022-04-20向國家知識產權局提交的專利申請。

本無閂鎖側向IGBT裝置、制造方法及器件在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種無閂鎖側向IGBT裝置、制造方法及器件，包括形成在襯底上方的漂移區(qū)、形成在襯底上方的體區(qū)、形成在漂移區(qū)內的第一阱區(qū)、形成在第一阱區(qū)中的集電極區(qū)、形成在體區(qū)中的發(fā)射極區(qū)、形成在體區(qū)中的第一體接觸部，位于集電極區(qū)和發(fā)射極區(qū)之間的第一柵極，形成在襯底上方的第二阱區(qū)，形成在第二阱區(qū)中的漏極區(qū)，其中漏極區(qū)和發(fā)射極區(qū)彼此電連接，形成在第二阱區(qū)中的源極區(qū)，其中源極區(qū)和第一體接觸部彼此電連接，以及位于漏極區(qū)和源極區(qū)之間的第二柵極，其中第二柵極和第一柵極彼此電連接。

本發(fā)明授權無閂鎖側向IGBT裝置、制造方法及器件在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，包括：具有第一導電性的襯底；形成在所述襯底上方的具有第二導電性的漂移區(qū)；形成在所述襯底上方的具有所述第一導電性的體區(qū)；形成在所述漂移區(qū)內的具有所述第二導電性的第一阱區(qū)；形成在所述第一阱區(qū)中的具有所述第一導電性的集電極區(qū)；形成在所述體區(qū)中的具有所述第二導電性的發(fā)射極區(qū)；形成在所述體區(qū)中的具有所述第一導電性的第一體接觸部；位于所述集電極區(qū)和所述發(fā)射極區(qū)之間的第一柵極；形成在所述襯底上方的具有所述第一導電性的第二阱區(qū)；形成在所述第二阱區(qū)中的具有所述第二導電性的漏極區(qū)，其中所述漏極區(qū)和所述發(fā)射極區(qū)彼此電連接；形成在所述第二阱區(qū)中的具有所述第二導電性的源極區(qū)，其中所述源極區(qū)和所述第一體接觸部彼此電連接；和位于所述漏極區(qū)與所述源極區(qū)之間的第二柵極，其中所述第二柵極與所述第一柵極彼此電連接。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人伏達半導體(合肥)股份有限公司，其通訊地址為：230000 安徽省合肥市高新區(qū)望江西路900號中安創(chuàng)谷科技園B4棟5層01室；或者聯(lián)系龍圖騰網官方客服，聯(lián)系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。