伏達半導體(合肥)股份有限公司林中獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉伏達半導體(合肥)股份有限公司申請的專利無閂鎖側向IGBT裝置、制造方法及器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115312594B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210413207.6，技術領域涉及：H10D12/00；該發明授權無閂鎖側向IGBT裝置、制造方法及器件是由林中;黃金彪設計研發完成，并于2022-04-20向國家知識產權局提交的專利申請。
本無閂鎖側向IGBT裝置、制造方法及器件在說明書摘要公布了：本發明提供一種無閂鎖側向IGBT裝置、制造方法及器件，包括形成在襯底上方的漂移區、形成在襯底上方的體區、形成在漂移區內的第一阱區、形成在第一阱區中的集電極區、形成在體區中的發射極區、形成在體區中的第一體接觸部，位于集電極區和發射極區之間的第一柵極，形成在襯底上方的第二阱區，形成在第二阱區中的漏極區，其中漏極區和發射極區彼此電連接，形成在第二阱區中的源極區，其中源極區和第一體接觸部彼此電連接，以及位于漏極區和源極區之間的第二柵極，其中第二柵極和第一柵極彼此電連接。
本發明授權無閂鎖側向IGBT裝置、制造方法及器件在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，包括：具有第一導電性的襯底；形成在所述襯底上方的具有第二導電性的漂移區；形成在所述襯底上方的具有所述第一導電性的體區；形成在所述漂移區內的具有所述第二導電性的第一阱區；形成在所述第一阱區中的具有所述第一導電性的集電極區；形成在所述體區中的具有所述第二導電性的發射極區；形成在所述體區中的具有所述第一導電性的第一體接觸部；位于所述集電極區和所述發射極區之間的第一柵極；形成在所述襯底上方的具有所述第一導電性的第二阱區；形成在所述第二阱區中的具有所述第二導電性的漏極區，其中所述漏極區和所述發射極區彼此電連接；形成在所述第二阱區中的具有所述第二導電性的源極區，其中所述源極區和所述第一體接觸部彼此電連接；和位于所述漏極區與所述源極區之間的第二柵極，其中所述第二柵極與所述第一柵極彼此電連接。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人伏達半導體(合肥)股份有限公司，其通訊地址為：230000 安徽省合肥市高新區望江西路900號中安創谷科技園B4棟5層01室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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