山東芯源微電子有限公司汪良恩獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉山東芯源微電子有限公司申請的專利一種減小硅片擴散硼硅玻璃層厚度的硼膜制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114999903B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210395191.0，技術領域涉及：H01L21/228；該發明授權一種減小硅片擴散硼硅玻璃層厚度的硼膜制造方法是由汪良恩;王錫康;姜蘭虎設計研發完成，并于2022-04-15向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種減小硅片擴散硼硅玻璃層厚度的硼膜制造方法在說明書摘要公布了：本發明屬于硅片擴散膜技術領域，具體涉及一種減小硅片擴散硼硅玻璃層厚度的硼膜制造方法，包括以下步驟：步驟一液態硼擴散源制備；步驟二液態硼擴散源沉淀形成固態硼擴散膜；步驟三后處理，所述后處理過程中對固態硼擴散膜進行低溫干燥；步驟四將干燥后的固體硼擴散膜切割成型；步驟五分選；相比于現有技術，1利用本發明制備的硼擴散膜對硅片進行擴散處理后，硅片表面只有很薄的不大于50納米硼硅玻璃層，不再需要利用機械方式進行處理；不會增加硅片的機械應力；2提升硅片擴散處理后的產品特性；3有利于最終產品芯片的良率提升。
本發明授權一種減小硅片擴散硼硅玻璃層厚度的硼膜制造方法在權利要求書中公布了：1.一種減小硅片硼擴散處理后表面硼硅玻璃層厚度的方法，其特征在于，把已表面處理后的硅片和制備的固態硼擴散膜進行疊片，固態硼擴散膜貼合硅片待擴散硼的表面；然后將疊片裝入石英舟進行擴散處理；所述固態硼擴散膜的制備包括以下步驟：步驟一液態硼擴散源制備，將含硼原料、粘合劑、分離劑和吸收劑按照一定比例加入配料槽混勻，得到液態硼擴散源；所述分離劑為氧化鋁粉末；所述吸收劑為氫氧化鋁粉末；步驟二液態硼擴散源沉淀形成固態硼擴散膜；步驟三后處理，所述后處理過程中對固態硼擴散膜進行低溫干燥；步驟四將干燥后的固體硼擴散膜切割成型；步驟五分選；擴散處理過程中，吸收劑氫氧化鋁粉末受熱在活性氧化鋁轉化溫度范圍內分解出活性氧化鋁γ-Al2O3，活性氧化鋁對固態硼擴散膜中的硼源進行吸收,之后的擴散處理過程中活性氧化鋁會緩慢釋放吸收的硼源。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人山東芯源微電子有限公司，其通訊地址為：250000 山東省濟南市章丘區埠村街道明水經濟開發區清源大街北段路西；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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