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龍圖騰網(wǎng)獲悉山東芯源微電子有限公司申請的專利一種減小硅片擴散硼硅玻璃層厚度的硼膜制造方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN114999903B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-05-13發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202210395191.0，技術領域涉及：H01L21/228；該發(fā)明授權一種減小硅片擴散硼硅玻璃層厚度的硼膜制造方法是由汪良恩;王錫康;姜蘭虎設計研發(fā)完成，并于2022-04-15向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本一種減小硅片擴散硼硅玻璃層厚度的硼膜制造方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明屬于硅片擴散膜技術領域，具體涉及一種減小硅片擴散硼硅玻璃層厚度的硼膜制造方法，包括以下步驟：步驟一液態(tài)硼擴散源制備；步驟二液態(tài)硼擴散源沉淀形成固態(tài)硼擴散膜；步驟三后處理，所述后處理過程中對固態(tài)硼擴散膜進行低溫干燥；步驟四將干燥后的固體硼擴散膜切割成型；步驟五分選；相比于現(xiàn)有技術，1利用本發(fā)明制備的硼擴散膜對硅片進行擴散處理后，硅片表面只有很薄的不大于50納米硼硅玻璃層，不再需要利用機械方式進行處理；不會增加硅片的機械應力；2提升硅片擴散處理后的產(chǎn)品特性；3有利于最終產(chǎn)品芯片的良率提升。

本發(fā)明授權一種減小硅片擴散硼硅玻璃層厚度的硼膜制造方法在權利要求書中公布了：1.一種減小硅片硼擴散處理后表面硼硅玻璃層厚度的方法，其特征在于，把已表面處理后的硅片和制備的固態(tài)硼擴散膜進行疊片，固態(tài)硼擴散膜貼合硅片待擴散硼的表面；然后將疊片裝入石英舟進行擴散處理；所述固態(tài)硼擴散膜的制備包括以下步驟：步驟一液態(tài)硼擴散源制備，將含硼原料、粘合劑、分離劑和吸收劑按照一定比例加入配料槽混勻，得到液態(tài)硼擴散源；所述分離劑為氧化鋁粉末；所述吸收劑為氫氧化鋁粉末；步驟二液態(tài)硼擴散源沉淀形成固態(tài)硼擴散膜；步驟三后處理，所述后處理過程中對固態(tài)硼擴散膜進行低溫干燥；步驟四將干燥后的固體硼擴散膜切割成型；步驟五分選；擴散處理過程中，吸收劑氫氧化鋁粉末受熱在活性氧化鋁轉化溫度范圍內(nèi)分解出活性氧化鋁γ-Al2O3，活性氧化鋁對固態(tài)硼擴散膜中的硼源進行吸收,之后的擴散處理過程中活性氧化鋁會緩慢釋放吸收的硼源。

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