杭州晶通科技有限公司王蜀豫獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉杭州晶通科技有限公司申請的專利一種靜電吸附卡盤獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN112768401B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-17發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202110133956.9,技術領域涉及:H01L21/683;該發明授權一種靜電吸附卡盤是由王蜀豫設計研發完成,并于2021-02-01向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種靜電吸附卡盤在說明書摘要公布了:本發明公開了一種靜電吸附卡盤,包括由兩個鋁制半圓盤面共同配合構成的圓形卡盤,鋁制盤面上有陶瓷層,兩個半圓盤面的圓心位置分別設有C型凸臺,C型凸臺上設有延伸到電源處的C型槽,C型凸臺的上表面和槽壁均設有鈦和氮化鈦涂層,使得C型凸臺上表面的靜電電壓能夠直連到電源作為中性地,兩個半圓盤面在陶瓷層形成自圓心設有向外擴散的若干徑向不同的導流環槽,陶瓷層上,自最內層的導流環槽上設有朝向半圓盤面外圍的若干導流線槽,導流環槽和導流線槽共同包圍形成的若干陶瓷面上設有若干鈦制小面積接觸點,在半圓盤面的周向靠近最外圍的盤面上設有若干出氣孔,半圓盤面靠近C型凸臺的盤面上設有若干進氣孔。
本發明授權一種靜電吸附卡盤在權利要求書中公布了:1.一種靜電吸附卡盤,其特征在于:包括由兩個鋁制半圓盤面共同配合構成的圓形卡盤,兩個鋁制半圓盤面間接合處設置絕緣層,鋁制盤面上有陶瓷層,兩個半圓盤面的圓心位置分別設有C型凸臺,C型凸臺上設有延伸到電源處的C型槽,C型凸臺的上表面和槽壁均設有連續的鈦和氮化鈦涂層,使得C型凸臺上表面的靜電電壓能夠直連到電源作為中性地,圓形卡盤在陶瓷層形成自圓心設有向外擴散的若干半徑不同的導流環槽,陶瓷層上,自最內層的導流環槽上設有朝向半圓盤面外圍的若干導流線槽,在半圓盤面的周向靠近最外圍的盤面上設有若干均勻分布的出氣孔,半圓盤面靠近C型凸臺的盤面上設有若干均勻分布的進氣孔,兩個半圓盤面構成的圓形卡盤的進氣孔和出氣孔間均勻分布有三個互呈120°夾角的第一頂針孔,在圓形卡盤的出氣孔外設有和C型凸臺高度相同的沉積環; 所述出氣孔連接負壓生成設備; 在沉積環的外壁至少設有一個定位槽,設于沉積環外的沉積環安裝支撐內壁設有和定位槽配合的定位凸起。
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