恭喜長鑫存儲技術有限公司請求不公布姓名獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網恭喜長鑫存儲技術有限公司申請的專利半導體器件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111446228B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-07-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910040653.5，技術領域涉及：H01L23/538；該發明授權半導體器件及其制造方法是由請求不公布姓名設計研發完成，并于2019-01-16向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種半導體器件及其制造方法。該半導體器件具備：第一介電質層，其沉積在半導體襯底上；第二介電質層，其沉積在所述第一介電質層上；接觸孔，分別對所述第一介電質層和所述第二介電質層進行蝕刻而形成，具有高深寬比，且具有垂直輪廓或者正面輪廓；第一金屬層，其沉積在所述接觸孔中；阻擋層，其形成在沉積了所述第一金屬層的所述接觸孔的上方；以及第二金屬層，其沉積在所述阻擋層上。
本發明授權半導體器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，其特征在于，具備： 第一介電質層，其沉積在半導體襯底上； 第二介電質層，其沉積在所述第一介電質層上； 接觸孔，分別對所述第一介電質層和所述第二介電質層進行蝕刻而形成，與所述襯底連接，具有高深寬比，且具有垂直輪廓或者正面輪廓； 第一金屬層，其沉積在所述接觸孔中； 阻擋層，其形成在沉積了所述第一金屬層的所述接觸孔的上方；以及 第二金屬層，其沉積在所述阻擋層上； 其中，所述高深寬比為深寬比大于10； 所述第一介電質層的濕蝕刻速率比大于所述第二介電質層的濕蝕刻速率比。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長鑫存儲技術有限公司，其通訊地址為：230000 安徽省合肥市經濟技術開發區翠微路6號海恒大廈630室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號