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龍圖騰網(wǎng)獲悉索尼集團(tuán)公司申請(qǐng)的專利成像元件和成像裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114846611B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-17發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202180007406.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F39/12；該發(fā)明授權(quán)成像元件和成像裝置是由菅野雅人;高橋千明;齊藤陽介設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-01-18向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本成像元件和成像裝置在說明書摘要公布了：根據(jù)本公開實(shí)施方案的成像元件設(shè)置有：第一電極；第二電極，第二電極與第一電極相對(duì)配置；有機(jī)層，其設(shè)置在第一電極和第二電極之間，并且至少包括光電轉(zhuǎn)換層；第一半導(dǎo)體層，其設(shè)置在第二電極和有機(jī)層之間，并且包含含碳化合物和無機(jī)化合物中的至少一種，含碳化合物的電子親和力大于第一電極的功函數(shù)，無機(jī)化合物的功函數(shù)大于第一電極的功函數(shù)；和第二半導(dǎo)體層，其設(shè)置在第二電極和第一半導(dǎo)體層之間，并且最高占據(jù)分子軌道HOMO能級(jí)與第二電極的費(fèi)米能級(jí)之差的絕對(duì)值B大于或等于從光學(xué)帶隙算出的第一最低未占據(jù)分子軌道LUMO能級(jí)與費(fèi)米能級(jí)之差的絕對(duì)值A(chǔ)，或者在費(fèi)米能級(jí)附近具有態(tài)密度相對(duì)于HOMO能級(jí)為110000以上的帶隙內(nèi)能級(jí)。

本發(fā)明授權(quán)成像元件和成像裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種成像元件，包括： 第一電極； 第二電極，所述第二電極與所述第一電極相對(duì)配置； 有機(jī)層，所述有機(jī)層設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極之間，并且至少包括光電轉(zhuǎn)換層； 第一半導(dǎo)體層，所述第一半導(dǎo)體層設(shè)置在所述第二電極和所述有機(jī)層之間，并且包含含碳化合物和無機(jī)化合物中的至少一種，所述含碳化合物的電子親和力大于所述第一電極的功函數(shù)，所述無機(jī)化合物的功函數(shù)大于所述第一電極的功函數(shù)；和 第二半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層設(shè)置在所述第二電極和所述第一半導(dǎo)體層之間，并且HOMO能級(jí)與所述第二電極的費(fèi)米能級(jí)之差的絕對(duì)值B大于或等于從光學(xué)帶隙算出的第一LUMO能級(jí)與所述費(fèi)米能級(jí)之差的絕對(duì)值A(chǔ)，或者在所述費(fèi)米能級(jí)附近具有態(tài)密度相對(duì)于所述HOMO能級(jí)為110000以上的帶隙內(nèi)能級(jí)。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人索尼集團(tuán)公司，其通訊地址為：日本東京；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。