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龍圖騰網獲悉中芯集成電路(寧波)有限公司上海分公司申請的專利薄膜體聲波諧振器的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114978077B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-07-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110217226.7，技術領域涉及：H03H3/02；該發明授權薄膜體聲波諧振器的制造方法是由黃河;羅海龍;李偉設計研發完成，并于2021-02-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本薄膜體聲波諧振器的制造方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種薄膜體聲波諧振器的制造方法，包括：提供臨時襯底；在臨時襯底上形成刻蝕停止層；在刻蝕停止層上依次形成第二電極層、壓電層和第一電極層；刻蝕第一電極層形成第一凹槽和第一電極，第一凹槽貫穿第一電極；在第一電極上形成具有第一空腔的支撐層，第一空腔暴露第一凹槽和部分第一電極；在支撐層上形成第一襯底，第一襯底覆蓋第一空腔；去除臨時襯底和刻蝕停止層；刻蝕第二電極層形成第二電極和第二凹槽，第二凹槽貫穿第二電極。本發明通過在臨時襯底和第二電極層之間形成刻蝕停止層，以便于去除臨時襯底時，通過刻蝕停止層作為阻擋層，避免刻蝕對第一電極層表面造成損傷以致電極頻率不穩定的情況。

本發明授權薄膜體聲波諧振器的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種薄膜體聲波諧振器的制造方法，其特征在于，包括： 提供臨時襯底； 在所述臨時襯底上形成刻蝕停止層； 在所述刻蝕停止層上依次形成第二電極層、壓電層和第一電極層； 刻蝕所述第一電極層形成第一凹槽和第一電極，所述第一凹槽貫穿所述第一電極； 在所述第一電極上形成具有第一空腔的支撐層，所述第一空腔暴露所述第一凹槽和部分所述第一電極； 在所述支撐層上形成第一襯底，所述第一襯底覆蓋所述第一空腔； 去除所述臨時襯底和所述刻蝕停止層； 刻蝕所述第二電極層形成第二電極和第二凹槽，所述第二凹槽貫穿所述第二電極； 去除所述臨時襯底和所述刻蝕停止層的方法包括： 對所述臨時襯底進行減薄； 采用刻蝕工藝沿所述臨時襯底向所述第二電極層刻蝕，直至去除所述刻蝕停止層； 所述刻蝕停止層和所述第二電極層的濕法刻蝕選擇比范圍為10～50； 采用濕法刻蝕工藝去除所述刻蝕停止層，所述濕法刻蝕工藝采用的刻蝕劑包括磷酸、氫氟酸中的至少一種，溶液中磷酸、氫氟酸的摩爾比為1:10:60～1:1:1，工藝溫度為25℃～45℃，刻蝕時間1分鐘～10分鐘。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯集成電路(寧波)有限公司上海分公司，其通訊地址為：201210 上海市浦東新區中國（上海）自由貿易試驗區蔡倫路85弄95號1幢3樓C區309；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。