中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司渠匯獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構的形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114823507B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-07-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110071804.0，技術領域涉及：H10D84/03；該發明授權半導體結構的形成方法是由渠匯;楊鵬;唐睿智;吉利;錢文明設計研發完成，并于2021-01-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構的形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構的形成方法，方法包括：提供基底，包括襯底以及位于襯底上的分立的鰭部，襯底上形成有橫跨鰭部的柵極結構，柵極結構的頂部形成有第一硬掩模層，第一硬掩模層上形成有第二硬掩膜層，第一硬掩模層的材料硬度小于第二硬掩模層的材料硬度，基底上還形成有覆蓋第二硬掩模層的層間介質材料層；去除第一部分厚度的層間介質材料層，露出第二硬掩模層，并且剩余層間介質材料層覆蓋第一硬掩模層的側壁；去除部分厚度的第二硬掩膜層；去除部分厚度的第二硬掩模層后，同時去除第二部分厚度的層間介質材料層、剩余的第二硬掩模層和第一硬掩模層，剩余的層間介質材料層作為層間介質層，層間介質層覆蓋柵極結構的部分側壁或整個側壁。
本發明授權半導體結構的形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，包括襯底以及位于所述襯底上的分立的鰭部，所述襯底上形成有橫跨所述鰭部的柵極結構，所述柵極結構的頂部形成有第一硬掩模層，所述第一硬掩模層上形成有第二硬掩模層，所述第一硬掩模層的材料硬度小于所述第二硬掩模層的材料硬度，所述基底上還形成有覆蓋所述第二硬掩模層的層間介質材料層； 去除第一部分厚度的所述層間介質材料層，露出所述第二硬掩模層，并且剩余所述層間介質材料層覆蓋所述第一硬掩模層的側壁； 去除部分厚度的所述第二硬掩模層； 去除部分厚度的所述第二硬掩模層后，同時去除第二部分厚度的所述層間介質材料層、剩余的所述第二硬掩模層和所述第一硬掩模層，剩余的所述層間介質材料層作為層間介質層，所述層間介質層覆蓋所述柵極結構的部分側壁或整個側壁。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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