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中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司渠匯獲國家專利權

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龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構的形成方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114823507B

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-07-04發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202110071804.0,技術領域涉及:H10D84/03;該發明授權半導體結構的形成方法是由渠匯;楊鵬;唐睿智;吉利;錢文明設計研發完成,并于2021-01-19向國家知識產權局提交的專利申請。

半導體結構的形成方法在說明書摘要公布了:一種半導體結構的形成方法,方法包括:提供基底,包括襯底以及位于襯底上的分立的鰭部,襯底上形成有橫跨鰭部的柵極結構,柵極結構的頂部形成有第一硬掩模層,第一硬掩模層上形成有第二硬掩膜層,第一硬掩模層的材料硬度小于第二硬掩模層的材料硬度,基底上還形成有覆蓋第二硬掩模層的層間介質材料層;去除第一部分厚度的層間介質材料層,露出第二硬掩模層,并且剩余層間介質材料層覆蓋第一硬掩模層的側壁;去除部分厚度的第二硬掩膜層;去除部分厚度的第二硬掩模層后,同時去除第二部分厚度的層間介質材料層、剩余的第二硬掩模層和第一硬掩模層,剩余的層間介質材料層作為層間介質層,層間介質層覆蓋柵極結構的部分側壁或整個側壁。

本發明授權半導體結構的形成方法在權利要求書中公布了:1.一種半導體結構的形成方法,其特征在于,包括: 提供基底,包括襯底以及位于所述襯底上的分立的鰭部,所述襯底上形成有橫跨所述鰭部的柵極結構,所述柵極結構的頂部形成有第一硬掩模層,所述第一硬掩模層上形成有第二硬掩模層,所述第一硬掩模層的材料硬度小于所述第二硬掩模層的材料硬度,所述基底上還形成有覆蓋所述第二硬掩模層的層間介質材料層; 去除第一部分厚度的所述層間介質材料層,露出所述第二硬掩模層,并且剩余所述層間介質材料層覆蓋所述第一硬掩模層的側壁; 去除部分厚度的所述第二硬掩模層; 去除部分厚度的所述第二硬掩模層后,同時去除第二部分厚度的所述層間介質材料層、剩余的所述第二硬掩模層和所述第一硬掩模層,剩余的所述層間介質材料層作為層間介質層,所述層間介質層覆蓋所述柵極結構的部分側壁或整個側壁。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司,其通訊地址為:201203 上海市浦東新區中國(上海)自由貿易試驗區張江路18號;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。

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