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電子電路裝置的制造及其應用技術
  • 本實用新型提供一種多管芯堆疊式射頻器件，屬于壓電復合材料領域，包括第一裸片和多顆濾波器裸片，所述濾波器裸片與第一裸片的正面耦合，在第一裸片與耦合面相對的反面制作信號引出，所述第一裸片包括多層異質鍵合襯底、功能化金屬孔、晶圓級封裝以及至少一個...
  • 一種聲表面波濾波器結構及其制造方法、電子設備，所述聲表面波濾波器結構包括：基底，所述基底包括壓電振蕩有效區、環繞所述壓電振蕩有效區的外圍區；聲學換能器，位于所述壓電振蕩有效區的基底上；第一保護層，覆蓋所述聲學換能器；連接層，位于所述外圍區的...
  • 本申請提供一種用于壓電MEMS諧振器的封裝結構及電子元件，屬于半導體器件領域，封裝結構包括器件晶圓、蓋帽晶圓以及設置在蓋帽晶圓上的第一絕緣層和金屬層，其中：器件晶圓包括：襯底層，襯底層包括襯底區域和襯底區域圍繞的第一諧振空腔區域；以及設置在...
  • 本發明公開了一種基于倒裝對位鍵合的扇出型濾波器封裝結構及其制作方法，該封裝結構包括濾波器芯片和塑封層，在濾波器芯片的芯片焊盤上方設置有凸點和圍擋層，圍擋層和凸點上遠離濾波器芯片的表面平齊并設置有重布線層和鈍化層，鈍化層設有容納重布線層的第一...
  • 本發明實施例提供一種基板、電子器件和模塊。本發明實施例提供的基板包括多晶材料層，且所述多晶材料層中晶粒的密度大于或者等于1000顆/mm2，所述多晶材料層的厚度大于或者等于所述多晶材料層中最大晶粒粒徑的兩倍。本發明實施...
  • 本申請涉及半導體器件領域且提供一種壓電MEMS諧振器、半導體器件、制造方法以及電子元件。該諧振器包括在第一方向上層疊的襯底、絕緣層、器件硅層、壓電層和電極層，所述襯底的上側設有空腔，所述器件硅層的與所述空腔對應的區域中包含在第一方向上的摻雜...
  • 本發明提供了一種晶圓級封裝的聲表面波濾波器及其制造方法，通過阻擋層形成空腔結構，其中，第一阻擋層可以作為空腔結構的蓋體，第二阻擋層和犧牲層可以作為空腔結構的墻體，由于支撐蓋體的墻體比較多，由此可以提高支撐的可靠性，避免空腔結構塌陷；進一步的...
  • 本發明公開了一種納秒級高壓陡脈沖發生器，涉及高壓脈沖技術領域，包括微控制器、Marx電路、觸發控制模塊、隔離高壓驅動模塊、安全模塊和電源管理模塊；微控制器包括主芯片，通過微控制器實時采集Marx電路輸出端的參數；觸發控制模塊生成納秒級同步觸...
  • 彈性波濾波器(40)具備具有多個IDT電極和反射器的縱向耦合諧振器(1)，[i]將電極指(Fe(k))和電極指(Fe(k+1))的距離定義為第k個電極指間距(P(k))，[ii]在電極指(Fe(k?1))、電極指(Fe(k))以及電極指(F...
  • 提供了一種聲學諧振器，該聲學諧振器包括基板、壓電層、設置在基板和壓電層之間的布拉格反射層、以及壓電層表面的IDT，該表面面向布拉格反射層。IDT包括從第一母線和第二母線延伸的多個交錯指狀物。此外，蝕刻區域延伸到壓電層的至少一部分中，該蝕刻區...
  • 本發明公開了一種可重構的多路開關濾波器模組，該模組包括多層印制板，相鄰的兩層印制板之間采用半固化片進行粘接；底部的兩層印制板用于傳輸射頻信號，其它層用來傳輸控制信號；多層印制板進行開槽處理，露出底層印制板上表面的微帶電路，用來裝配兩個MMI...
  • 本發明提供一種具有橫向模式抑制結構的諧振器及其制作方法，該諧振器包括壓電基底、位于其上的電極層、鈍化層及抑制層，電極層包括兩個在第一方向上相對設置的叉指電極，每一叉指電極均包括匯流條及多個電極指，不同叉指電極中電極指與匯流條之間具有間隙，鈍...
  • 本發明涉及模擬電路設計技術領域，公開了一種環形放大器，其特征在于，環形放大器包括：多級放大電路以及電平移位電路；多級放大電路的輸入端與環形放大器的信號輸入端連接，多級放大電路的輸出端與電平移位電路的第一端連接；電平移位電路的第二端與所述環形...
  • 本申請實施例提供一種放大電路、芯片和電子設備，放大電路包括：所述放大電路的第一輸入端耦接所述第一晶體管的柵極；所述第一晶體管的源極與地耦接，漏極耦接所述第二晶體管的源極；所述第二晶體管的漏極耦接所述放大電路的第一輸出端，且耦接電壓提供端；所...
  • 本發明公開一種帶前置放大器的比較器及其控制方法，首先控制前置放大器工作，鎖存器處于復位狀態；等前置放大器將輸出節點的信號放大到預設增益之后，保持前置放大器仍然工作，控制鎖存器進入工作，待鎖存器將輸入信號再進行放大到鎖存器結點之后，控制前置放...
  • 公開了用于減少在實現高隔離度開關的移相器中的毛刺的方法和設備。當從一個相移轉換至另一相移時，在移相器的輸出處會出現這樣的毛刺。所公開的方法在移相器轉換的各個步驟中實施了延遲。提供了實現單刀多擲的示例性實施方式，并且還給出了所公開的方法的示例...
  • 本發明具備：形成在壓電基板的兩個主面上的第一、第二激發電極；以及與第一、第二激發電極分別連接的第一、第二安裝端子，第一、第二安裝端子具有：形成在壓電基板上的包括抗焊料金屬膜的安裝用金屬膜；以及在該安裝用金屬膜上以與第一、第二激發電極分別相連...
  • 本發明公開了一種寬帶低噪聲放大器，屬于單片微波集成電路技術領域；包括：級聯的電流復用結構低噪聲放大器和平衡式低噪聲放大器；電流復用低噪聲放大器，包括：依次級聯的第一級和第二級放大電路；平衡式低噪聲放大器，包括：兩個折疊蘭格耦合器和兩個放大支...
  • 本發明公開了一種低計算復雜度的FIR濾波方法，涉及信號處理技術領域，包括：獲取輸入序列；根據工程需求，設置FIR濾波器的抽頭數并判斷是否需要對原始系統函數中的各抽頭系數進行重新配比；若需要，則對原始系統函數中各抽頭系數進行重新配比，并基于重...
  • 本發明提供了一種D類放大器的動態調制方法及其電子電路，在該D類放大器的動態調制方法中，通過對音頻放大信號的平均占空比進行動態調整，使該音頻放大信號的平均占空比為一個合適的占空比，以降低電路功耗，即使得音頻放大信號的平均占空比在沒有音頻輸入時...
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