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浙江晶盛光子科技有限公司王樹林獲國家專利權

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龍圖騰網獲悉浙江晶盛光子科技有限公司申請的專利一種P型硅的太陽能電池的制備方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN115036398B

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202210524090.9,技術領域涉及:H10F71/10;該發明授權一種P型硅的太陽能電池的制備方法是由王樹林;曹建偉設計研發完成,并于2022-05-13向國家知識產權局提交的專利申請。

一種P型硅的太陽能電池的制備方法在說明書摘要公布了:本發明實施例提供了一種P型硅的太陽能電池的制備方法,屬于硅片電池技術領域,包括:對P型硅材質的襯底層清洗、制絨;在清洗并制絨后的襯底層的下端面進行磷擴散;在磷擴散之后,去除磷擴散過程中形成的PSG;在去除PSG之后,對襯底層的上端面和擴散層的下端面進行表面鈍化處理,以形成鈍化層;形成N型非晶硅層;形成P型非晶硅層;在N型非晶硅層和P型非晶硅層之外沉積形成減反射層;印刷形成金屬電極;在印刷金屬電極之后,對半成品電池進行高溫燒結,使得金屬電極和硅形成金屬硅化物;并使得N型非晶硅層和P型非晶硅層轉化為poly?Sin層和poly?Sip層;達到降低電池成本,且避免使用硼擴散工藝的技術效果。

本發明授權一種P型硅的太陽能電池的制備方法在權利要求書中公布了:1.一種P型硅的太陽能電池的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括:對P型硅材質的襯底層清洗、制絨;在清洗并制絨后的襯底層的下端面進行磷擴散,以形成擴散層;所述擴散層和襯底層之間構成一PN結,且所述PN結設置在襯底層的背面,遠離入射光;在磷擴散之后,去除磷擴散過程中形成的PSG;在去除PSG之后,對襯底層的上端面和擴散層的下端面進行表面鈍化處理,以形成鈍化層;在位于襯底層下側的鈍化層上進行in-situ摻雜沉積,以形成N型非晶硅層;在位于襯底層上側的鈍化層上進行in-situ摻雜沉積,以形成P型非晶硅層;在N型非晶硅層和P型非晶硅層之外沉積形成減反射層;在N型非晶硅層和P型非晶硅層外的減反射層上印刷形成金屬電極;在印刷金屬電極之后,對半成品電池進行高溫燒結,使得金屬電極和硅形成金屬硅化物;并使得N型非晶硅層和P型非晶硅層轉化為N型多晶硅層和P型多晶硅層。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人浙江晶盛光子科技有限公司,其通訊地址為:311100 浙江省杭州市臨平區余杭經濟技術開發區順達路500號1幢105室;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。

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