北京大學谷平凡獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉北京大學申請的專利一種基于CrOCl材料實現多態存儲的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114743577B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210324321.1，技術領域涉及：G11C11/16；該發明授權一種基于CrOCl材料實現多態存儲的方法是由谷平凡;葉堉設計研發完成，并于2022-03-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種基于CrOCl材料實現多態存儲的方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種基于CrOCl材料實現多態存儲的方法。利用二維反鐵磁絕緣體CrOCl中的磁電耦合效應，通過對隧穿結施加電壓脈沖來調控CrOCl磁相變過程中的亞穩態，從而實現使隧穿結的阻態可控地在一定范圍內任意切換。本發明通過改變電壓掃描的速度和幅值來決定隧穿結的阻態，并可以通過掃描磁場來擦除隧穿結中存儲的信息，在單個器件中可實現一位十進制數據的存儲，具有超小體積、超高性能的優點，有大規模應用的潛力。
本發明授權一種基于CrOCl材料實現多態存儲的方法在權利要求書中公布了：1.一種基于CrOCl材料實現多態存儲的方法，其特征在于，步驟包括：1制備hBN-石墨-CrOCl-石墨-hBN隧穿結器件；2將器件降溫至14K以下，測量隧穿電流隨磁場的變化，找出磁相變中回滯最大處對應的磁場B0與回滯消失處對應的磁場Bs；3將磁場從Bs掃描至到B0并將磁場固定于B0處，隧穿結處于↑↑↑↓↓高電流態，通過施加電壓脈沖將隧穿結調節至↑↑↑↓↓高電流態至↑↑↓↓低電流態之間的任意阻態，具體阻態由電壓脈沖的幅值和掃描速度決定，實現信息寫入；施加足夠大的電壓脈沖使隧穿結阻態到達↑↑↓↓低電流態；再通過施加磁場脈沖至Bs再回到B0，將隧穿結調節回到↑↑↑↓↓高電流態，實現信息擦除；或者，將磁場固定在B0，將↑↑↓↓低電流態作為基態，通過施加不同的磁場脈沖將阻態調節至↑↑↓↓低電流態至↑↑↑↓↓高電流態之間的任意阻態，阻值由磁場脈沖的幅值決定，實現信息寫入；施加的磁場脈沖峰值超過Bs時，隧穿結阻態到達↑↑↑↓↓高電流態；再施加足夠大的電壓脈沖擦除隧穿結信息，使其回到↑↑↓↓低電流態，實現信息擦除。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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