買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網獲悉大連宗益科技發展有限公司申請的專利一種分散邊緣電場的SiC功率器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119421472B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510019563.3，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權一種分散邊緣電場的SiC功率器件是由張大力;王鵬程;溫永澤;于永康;房吉君;徐勝獻;李想;金憲迪設計研發完成，并于2025-01-07向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種分散邊緣電場的SiC功率器件在說明書摘要公布了：本發明涉及半導體器件技術領域，具體為一種分散邊緣電場的SiC功率器件，包括歐姆接觸電極、N+SiC襯底、N?SiC外延以及肖特基接觸電極，N?SiC外延包括與N+SiC襯底固定連接的圓餅件，以及與圓餅件一體成型的圓臺件，圓臺件的斜面開設有等間距設置的若干個環形槽，環形槽內固定設有P型結終端，P型結終端上遠離圓餅件的頂角位于環形槽外，圓餅件的上表面且位于圓臺件外固定設有陶瓷封裝，陶瓷封裝的外表面固定設有散熱片。本發明中P型結終端在N?SiC外延上呈同心階梯式分布，可以逐步減小終端區域的電場強度，有效緩解邊緣的電場集中現象，從而提高器件的擊穿電壓，減少擊穿風險，并且可以降低漏電流，提高器件的靜態性能和開關損耗。

本發明授權一種分散邊緣電場的SiC功率器件在權利要求書中公布了：1.一種分散邊緣電場的SiC功率器件，包括由下至上依次連接的歐姆接觸電極100、N+SiC襯底200、N-SiC外延300以及肖特基接觸電極400，其特征在于：所述N-SiC外延300包括與所述N+SiC襯底200固定連接的圓餅件301，以及與所述圓餅件301一體成型的圓臺件302，所述圓臺件302的斜面開設有等間距設置的若干個環形槽303，且相鄰兩個所述環形槽303的垂直間距大于相鄰兩個所述環形槽303的水平間距，所述環形槽303內固定設有P型結終端500，所述P型結終端500上遠離所述圓餅件301的頂角位于所述環形槽303外，所述圓餅件301的上表面且位于所述圓臺件302外固定設有陶瓷封裝600，所述陶瓷封裝600的外表面固定設有散熱片700；所述陶瓷封裝600為圓臺型結構，所述肖特基接觸電極400的上表面固定貫穿所述陶瓷封裝600的上表面中心，所述陶瓷封裝600的斜面開設有若干個通孔601，所述通孔601的長度方向指向所述P型結終端500上遠離所述圓餅件301的頂角，所述散熱片700上靠近所述陶瓷封裝600的端面一體成型有中空導熱柱701，所述中空導熱柱701固定貫穿所述通孔601且伸入所述陶瓷封裝600內。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人大連宗益科技發展有限公司，其通訊地址為：116000 遼寧省大連市大連高新技術產業園區凌秀路60號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。