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龍圖騰網(wǎng)獲悉貴州航天控制技術(shù)有限公司;北京朗瑪芯創(chuàng)技術(shù)有限公司申請(qǐng)的專利一種單端口多控制模式接口電路獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119402001B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-02發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510002208.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H03K19/0185；該發(fā)明授權(quán)一種單端口多控制模式接口電路是由陳飛;賴小峰;田朗;陳旻東;唐林;武曉宇;江麗霞設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-01-02向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種單端口多控制模式接口電路在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種單端口多控制模式接口電路。端口模塊：包括端口和開關(guān)單元，所述端口與所述開關(guān)單元連接，所述開關(guān)單元分別與上拉電阻和下拉電阻連接，開關(guān)單元有三個(gè)工作狀態(tài)。至少一組比較單元，每組比較模塊包括兩個(gè)比較模塊，所述比較模塊包括晶體管元件、第一MOS管、阻性元件和反相器，在其中一個(gè)比較模塊中，晶體管元件接輸入電源，阻性元件接地；在另一個(gè)比較模塊中，晶體管元件接地，阻性元件接輸入電源；信號(hào)控制模塊：根據(jù)所述比較模塊中的各比較模塊的輸出信號(hào)選擇輸出模式。這樣就解決了現(xiàn)有技術(shù)中通過單端口實(shí)現(xiàn)多模式控制較為復(fù)雜的問題。

本發(fā)明授權(quán)一種單端口多控制模式接口電路在權(quán)利要求書中公布了：1.一種單端口多控制模式接口電路，其特征在于，包括：端口模塊：包括端口和開關(guān)單元，所述端口與所述開關(guān)單元連接，所述開關(guān)單元分別與上拉電阻和下拉電阻連接；在所述開關(guān)單元的第一工作狀態(tài)下，所述上拉電阻與所述端口連接，所述下拉電阻與所述端口斷開；在所述開關(guān)單元的第二工作狀態(tài)下，所述上拉電阻與所述端口斷開，所述下拉電阻與所述端口連接；在所述開關(guān)單元的第三工作狀態(tài)下，所述上拉電阻與所述端口斷開，所述下拉電阻與所述端口斷開；至少一組比較單元，每組比較模塊包括兩個(gè)比較模塊，所述比較模塊包括晶體管元件、第一MOS管、阻性元件和反相器，其中，所述晶體管元件的第一端與所述第一MOS管柵極電連接，所述晶體管元件的第二端與第一端短接，所述晶體管元件的第三端與所述阻性元件第一端連接，所述第一MOS管源極接所述端口模塊，所述第一MOS管漏極接輸入電源和所述反相器；在其中一個(gè)比較模塊中，所述晶體管元件的第二端還與輸入電源連接，且所述阻性元件的第二端接地；在另一個(gè)比較模塊中，所述晶體管元件的第二端還接地，且所述阻性元件的第二端接輸入電源；信號(hào)控制模塊：根據(jù)所述比較模塊中的各比較模塊的輸出信號(hào)選擇輸出模式。

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