蘇州伯嘉半導(dǎo)體科技有限公司施金汕獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉蘇州伯嘉半導(dǎo)體科技有限公司申請的專利基于MRAM的OLED驅(qū)動(dòng)芯片Gamma校正電路及方法、設(shè)備、介質(zhì)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN115881036B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-06發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號(hào)為:202211559029.4,技術(shù)領(lǐng)域涉及:G09G3/3208;該發(fā)明授權(quán)基于MRAM的OLED驅(qū)動(dòng)芯片Gamma校正電路及方法、設(shè)備、介質(zhì)是由施金汕;錢雪華;單夢麟;賀宇鷹設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2022-12-06向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本基于MRAM的OLED驅(qū)動(dòng)芯片Gamma校正電路及方法、設(shè)備、介質(zhì)在說明書摘要公布了:本發(fā)明涉及基于MRAM的OLED驅(qū)動(dòng)芯片Gamma校正電路及方法、設(shè)備、介質(zhì),涉及芯片器件及電路設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域。該電路包括MRAM存儲(chǔ)邏輯控制電路、灰度檢測電路、電阻選擇電路、差分放大電路、灰度分壓電路、OLED像素驅(qū)動(dòng)電路。本發(fā)明在OLED驅(qū)動(dòng)芯片中的Gamma校正電路采用MRAM作為存儲(chǔ)單元,不僅具有斷電存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的能力,而且讀寫的能耗低,速度快,并且大幅度提高了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的可靠性。相較于傳統(tǒng)的OTP存儲(chǔ)器,本發(fā)明采用MRAM作為存儲(chǔ)單元,具備可重復(fù)擦寫的能力。因此,校正電路能夠?qū)amma數(shù)值參數(shù)進(jìn)行多次微調(diào),更加精準(zhǔn)的控制OLED電壓,提高顯示效果及延長使用壽命。本發(fā)明能夠降低對OLED錯(cuò)誤Gamma校準(zhǔn)的機(jī)會(huì),OLED隨時(shí)都有機(jī)會(huì)實(shí)現(xiàn)重新測試及校正,降低錯(cuò)誤風(fēng)險(xiǎn)的成本。
本發(fā)明授權(quán)基于MRAM的OLED驅(qū)動(dòng)芯片Gamma校正電路及方法、設(shè)備、介質(zhì)在權(quán)利要求書中公布了:1.基于MRAM的OLED驅(qū)動(dòng)芯片Gamma校正電路,其特征在于:包括MRAM存儲(chǔ)邏輯控制電路、灰度檢測電路、電阻選擇電路、差分放大電路、灰度分壓電路、OLED像素驅(qū)動(dòng)電路;其中,所述MRAM存儲(chǔ)邏輯控制電路用于讀取MRAM存儲(chǔ)陣列中的數(shù)據(jù),以及將新的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)至MRAM存儲(chǔ)陣列中;所述電阻選擇電路用于選擇對應(yīng)的電壓;所述灰度檢測電路用于生成開機(jī)自檢電壓信號(hào);所述差分放大電路用于將通過所述電阻選擇電路選擇的電壓與通過所述灰度檢測電路生成的開機(jī)自檢電壓信號(hào)進(jìn)行比對校準(zhǔn);所述灰度分壓電路用于將經(jīng)過校準(zhǔn)過的信號(hào)轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào);所述OLED像素驅(qū)動(dòng)電路用于通過所述電壓信號(hào)調(diào)節(jié)OLED像素驅(qū)動(dòng)的電壓,并將經(jīng)過校準(zhǔn)后的電壓信號(hào)傳輸至所述MRAM存儲(chǔ)邏輯控制電路;所述MRAM存儲(chǔ)邏輯控制電路包括地址譯碼器、控制邏輯模塊、讀取電路、寫入電路、MRAM存儲(chǔ)陣列和數(shù)據(jù)端口;所述MRAM存儲(chǔ)陣列包括多個(gè)存儲(chǔ)單元;其中,所述地址譯碼器,用于存儲(chǔ)OLED驅(qū)動(dòng)芯片內(nèi)部所有的地址譯碼;所述控制邏輯模塊,用于產(chǎn)生控制信號(hào)對MRAM存儲(chǔ)陣列的讀寫操作進(jìn)行控制;所述讀取電路,用于讀取存儲(chǔ)數(shù)據(jù),識(shí)別選中的存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)值,并將數(shù)據(jù)傳輸至數(shù)據(jù)端口;所述寫入電路,用于將外部高壓電路信號(hào)傳送至選中的存儲(chǔ)單元位線上,對選中的存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫操作;所述MRAM存儲(chǔ)陣列,用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)信號(hào);所述數(shù)據(jù)端口,用于輸入寫入數(shù)據(jù)和輸出讀取數(shù)據(jù)。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人蘇州伯嘉半導(dǎo)體科技有限公司,其通訊地址為:215000 江蘇省蘇州市吳江區(qū)太湖新城夏蓉街399號(hào)稻谷互聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)園1號(hào)樓1702-19;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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