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龍圖騰網(wǎng)恭喜全宇昕科技股份有限公司申請的專利金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管及其制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113130651B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-17發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202010040387.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/60；該發(fā)明授權(quán)金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管及其制造方法是由徐信佑;陳涌昌;王振煌設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-01-15向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管及其制造方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開一種金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管及其制造方法。金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管包含基材結(jié)構(gòu)、多個摻雜區(qū)域、氧化層結(jié)構(gòu)、多個半導(dǎo)體層結(jié)構(gòu)、介電質(zhì)層結(jié)構(gòu)及金屬結(jié)構(gòu)。基材結(jié)構(gòu)包含基底層及磊晶層。磊晶層沿第一方向形成多個溝槽。任兩相鄰的溝槽間形成一間距。多個溝槽間的間距沿第一方向遞增。多個摻雜區(qū)域分別形成于多個溝槽的底部。氧化層結(jié)構(gòu)形成于多個溝槽的內(nèi)壁及磊晶層的表面上。多個半導(dǎo)體層結(jié)構(gòu)分別形成于多個溝槽中，以形成多個溝渠式結(jié)構(gòu)。介電質(zhì)層結(jié)構(gòu)形成于氧化層結(jié)構(gòu)上。金屬結(jié)構(gòu)形成于介電質(zhì)層結(jié)構(gòu)上且電性連接于至少其中一個溝渠式結(jié)構(gòu)。借此，能實現(xiàn)生產(chǎn)成本低、生產(chǎn)產(chǎn)率高、體積小、及構(gòu)造簡單等產(chǎn)品上的競爭優(yōu)勢。

本發(fā)明授權(quán)金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管，其特征在于，所述金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管包括： 一基材結(jié)構(gòu)，其包含： 一基底層；及 一磊晶層，其形成于所述基底層上，并且所述磊晶層形成有多個溝槽； 其中，多個所述溝槽是沿著一第一方向間隔地凹設(shè)于所述磊晶層的相反于所述基底層的一側(cè)表面，并且任何兩個相鄰的所述溝槽之間形成有一間距，而多個所述溝槽之間的所述間距是沿著所述第一方向遞增；其中，多個所述溝槽的數(shù)量為N個，N為大于3的正整數(shù)，并且任何兩個彼此相鄰的所述間距的一增加量是介于5％至25％之間； 多個摻雜區(qū)域，其分別形成于多個所述溝槽的底部、且朝著所述磊晶層的部分?jǐn)U散； 一氧化層結(jié)構(gòu)，其包含： 多個溝槽氧化層，其分別形成于多個所述溝槽的內(nèi)壁上、且分別抵接于多個所述摻雜區(qū)域；其中，每個所述溝槽氧化層包圍形成有一凹槽；及 一披覆氧化層，其形成于所述磊晶層的相反于所述基底層的一側(cè)表面上、且延伸地連接于多個所述溝槽氧化層之間； 多個半導(dǎo)體層結(jié)構(gòu)，其分別形成于多個所述凹槽中，以分別與多個所述溝槽氧化層共同形成為多個溝渠式結(jié)構(gòu)； 一介電質(zhì)層結(jié)構(gòu)，其形成且覆蓋于所述氧化層結(jié)構(gòu)及多個所述半導(dǎo)體層結(jié)構(gòu)上；以及 一金屬結(jié)構(gòu)，其形成于所述介電質(zhì)層結(jié)構(gòu)的相反于所述基底層的一側(cè)表面上、且電性連接于多個所述溝渠式結(jié)構(gòu)中的至少其中一個所述溝渠式結(jié)構(gòu)。

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