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龍圖騰網(wǎng)獲悉廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司申請的專利功率半導(dǎo)體器件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119922962B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-20發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510397011.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D64/27；該發(fā)明授權(quán)功率半導(dǎo)體器件是由余開慶;曾祥;彭天智;楊文敏;張正;李恬恬設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-04-01向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本功率半導(dǎo)體器件在說明書摘要公布了：本申請涉及一種功率半導(dǎo)體器件。該功率半導(dǎo)體器件，包括：元胞區(qū)與非元胞區(qū)，非元胞區(qū)與元胞區(qū)相鄰；元胞區(qū)包括結(jié)型場效應(yīng)晶體管區(qū)；功率半導(dǎo)體器件還包括柵極層，柵極層包括第一矩形區(qū)，第一矩形區(qū)位于結(jié)型場效應(yīng)晶體管區(qū)的上方或位于非元胞區(qū)；第一矩形區(qū)包括鏤空區(qū)。本申請?zhí)峁┑募夹g(shù)方案，可以減小器件的輸入電容和減小器件的柵極內(nèi)阻，同時能減小驅(qū)動的充放電電荷量和節(jié)省驅(qū)動功率，減小驅(qū)動板的成本，使驅(qū)動板更加小型化。

本發(fā)明授權(quán)功率半導(dǎo)體器件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：元胞區(qū)，所述元胞區(qū)包括結(jié)型場效應(yīng)晶體管區(qū)；所述功率半導(dǎo)體器件還包括：柵極層，所述柵極層包括第一矩形區(qū)，所述第一矩形區(qū)位于所述結(jié)型場效應(yīng)晶體管區(qū)的上方；所述第一矩形區(qū)包括鏤空區(qū)；第一導(dǎo)電類型的襯底，所述襯底包括第一導(dǎo)電類型的外延層；第二導(dǎo)電類型的第一阱區(qū)與第二阱區(qū)，位于所述外延層中；第一源區(qū)，位于所述第一阱區(qū)中；第二源區(qū)，位于所述第二阱區(qū)中；所述第一源區(qū)靠近所述第二源區(qū)的邊緣與所述第一阱區(qū)靠近所述第二阱區(qū)的邊緣之間為第一有效溝道，所述第二源區(qū)靠近所述第一源區(qū)的邊緣與所述第二阱區(qū)靠近所述第一阱區(qū)的邊緣之間為第二有效溝道；所述結(jié)型場效應(yīng)晶體管區(qū)位于所述第一有效溝道與所述第二有效溝道之間；所述第一矩形區(qū)還包括第一柵極條與第二柵極條，所述鏤空區(qū)位于所述第一柵極條與所述第二柵極條之間；所述第一柵極條位于所述第一有效溝道的上方，所述第一有效溝道在所述襯底上的投影位于所述第一柵極條在所述襯底上的投影內(nèi)；所述第二柵極條位于所述第二有效溝道的上方，所述第二有效溝道在所述襯底上的投影位于所述第二柵極條在所述襯底上的投影內(nèi)；柵氧層，所述柵氧層位于所述外延層與所述柵極層之間；所述結(jié)型場效應(yīng)晶體管區(qū)的表面設(shè)置有第一微溝槽，所述第一微溝槽位于所述鏤空區(qū)的下方；所述柵氧層上包括第三通孔，所述鏤空區(qū)、所述第三通孔與所述第一微溝槽依次連通；第一層間介質(zhì)層，覆蓋所述鏤空區(qū)、所述第三通孔與所述第一微溝槽；所述功率半導(dǎo)體器件，還包括非元胞區(qū)，所述非元胞區(qū)與所述元胞區(qū)相鄰，所述非元胞區(qū)設(shè)置有第五矩形區(qū)，所述第五矩形區(qū)包括鏤空區(qū)；所述非元胞區(qū)為柵極焊盤區(qū)；所述鏤空區(qū)為矩形，所述第五矩形區(qū)還包括第一環(huán)形區(qū)，所述第一環(huán)形區(qū)環(huán)繞所述鏤空區(qū)；所述功率半導(dǎo)體器件還包括絕緣層與柵極接觸孔，所述絕緣層位于所述第一環(huán)形區(qū)的上方，所述柵極接觸孔貫穿所述絕緣層，并與所述第一環(huán)形區(qū)接觸，所述第一環(huán)形區(qū)的寬度大于或等于最小允許線寬，且大于或等于柵極接觸孔的最小尺寸；或者，所述非元胞區(qū)為柵極焊盤區(qū)；所述鏤空區(qū)為環(huán)形，所述第五矩形區(qū)還包括第二環(huán)形區(qū)與第二矩形區(qū)，所述鏤空區(qū)環(huán)繞所述第二矩形區(qū)，所述第二環(huán)形區(qū)環(huán)繞所述鏤空區(qū)；所述第二矩形區(qū)浮空；或者，所述非元胞區(qū)為柵極走線區(qū)；所述第五矩形區(qū)還包括第三矩形區(qū)與多個第三柵極條，所述第三矩形區(qū)的第一側(cè)設(shè)置有依次交替排列的所述鏤空區(qū)與所述第三柵極條，所述第三柵極條與所述第三矩形區(qū)連接，所述第三矩形區(qū)的第二側(cè)設(shè)置有依次交替排列的所述鏤空區(qū)與所述第三柵極條，所述第一側(cè)與所述第二側(cè)位置相對；所述功率半導(dǎo)體器件還包括絕緣層與柵極接觸孔，所述絕緣層位于所述第三矩形區(qū)的上方，所述柵極接觸孔貫穿所述絕緣層，并與所述第三矩形區(qū)接觸，所述第三矩形區(qū)的寬度小于所述第五矩形區(qū)的寬度，所述第三矩形區(qū)的寬度大于或等于最小允許線寬，且大于或等于柵極接觸孔的最小尺寸；或者，所述非元胞區(qū)為終端區(qū)；所述第五矩形區(qū)還包括第四矩形區(qū)與多個第四柵極條，所述鏤空區(qū)包括多個第一鏤空部與第二鏤空部；所述第四柵極條與所述第一鏤空部位于所述第四矩形區(qū)在靠近所述元胞區(qū)的一側(cè)，并交替排列，所述第四柵極條與所述第四矩形區(qū)連接；所述第二鏤空部位于所述第四矩形區(qū)在遠(yuǎn)離所述元胞區(qū)的一側(cè)，所述第四柵極條與所述第一鏤空部沿所述第四矩形區(qū)的寬度方向延伸，所述第二鏤空部沿所述第四矩形區(qū)的長度方向延伸；所述功率半導(dǎo)體器件還包括絕緣層與柵極接觸孔，所述絕緣層位于所述第四矩形區(qū)的上方，所述柵極接觸孔貫穿所述絕緣層，并與所述第四矩形區(qū)接觸，所述第四矩形區(qū)的寬度大于或等于最小允許線寬，且大于或等于柵極接觸孔的最小尺寸。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司，其通訊地址為：511480 廣東省廣州市南沙區(qū)正翔路10號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。