廣東芯粵能半導體有限公司余開慶獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉廣東芯粵能半導體有限公司申請的專利功率半導體器件獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN119922962B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-20發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202510397011.6,技術領域涉及:H10D64/27;該發明授權功率半導體器件是由余開慶;曾祥;彭天智;楊文敏;張正;李恬恬設計研發完成,并于2025-04-01向國家知識產權局提交的專利申請。
本功率半導體器件在說明書摘要公布了:本申請涉及一種功率半導體器件。該功率半導體器件,包括:元胞區與非元胞區,非元胞區與元胞區相鄰;元胞區包括結型場效應晶體管區;功率半導體器件還包括柵極層,柵極層包括第一矩形區,第一矩形區位于結型場效應晶體管區的上方或位于非元胞區;第一矩形區包括鏤空區。本申請提供的技術方案,可以減小器件的輸入電容和減小器件的柵極內阻,同時能減小驅動的充放電電荷量和節省驅動功率,減小驅動板的成本,使驅動板更加小型化。
本發明授權功率半導體器件在權利要求書中公布了:1.一種功率半導體器件,其特征在于,包括:元胞區,所述元胞區包括結型場效應晶體管區;所述功率半導體器件還包括:柵極層,所述柵極層包括第一矩形區,所述第一矩形區位于所述結型場效應晶體管區的上方;所述第一矩形區包括鏤空區;第一導電類型的襯底,所述襯底包括第一導電類型的外延層;第二導電類型的第一阱區與第二阱區,位于所述外延層中;第一源區,位于所述第一阱區中;第二源區,位于所述第二阱區中;所述第一源區靠近所述第二源區的邊緣與所述第一阱區靠近所述第二阱區的邊緣之間為第一有效溝道,所述第二源區靠近所述第一源區的邊緣與所述第二阱區靠近所述第一阱區的邊緣之間為第二有效溝道;所述結型場效應晶體管區位于所述第一有效溝道與所述第二有效溝道之間;所述第一矩形區還包括第一柵極條與第二柵極條,所述鏤空區位于所述第一柵極條與所述第二柵極條之間;所述第一柵極條位于所述第一有效溝道的上方,所述第一有效溝道在所述襯底上的投影位于所述第一柵極條在所述襯底上的投影內;所述第二柵極條位于所述第二有效溝道的上方,所述第二有效溝道在所述襯底上的投影位于所述第二柵極條在所述襯底上的投影內;柵氧層,所述柵氧層位于所述外延層與所述柵極層之間;所述結型場效應晶體管區的表面設置有第一微溝槽,所述第一微溝槽位于所述鏤空區的下方;所述柵氧層上包括第三通孔,所述鏤空區、所述第三通孔與所述第一微溝槽依次連通;第一層間介質層,覆蓋所述鏤空區、所述第三通孔與所述第一微溝槽;所述功率半導體器件,還包括非元胞區,所述非元胞區與所述元胞區相鄰,所述非元胞區設置有第五矩形區,所述第五矩形區包括鏤空區;所述非元胞區為柵極焊盤區;所述鏤空區為矩形,所述第五矩形區還包括第一環形區,所述第一環形區環繞所述鏤空區;所述功率半導體器件還包括絕緣層與柵極接觸孔,所述絕緣層位于所述第一環形區的上方,所述柵極接觸孔貫穿所述絕緣層,并與所述第一環形區接觸,所述第一環形區的寬度大于或等于最小允許線寬,且大于或等于柵極接觸孔的最小尺寸;或者,所述非元胞區為柵極焊盤區;所述鏤空區為環形,所述第五矩形區還包括第二環形區與第二矩形區,所述鏤空區環繞所述第二矩形區,所述第二環形區環繞所述鏤空區;所述第二矩形區浮空;或者,所述非元胞區為柵極走線區;所述第五矩形區還包括第三矩形區與多個第三柵極條,所述第三矩形區的第一側設置有依次交替排列的所述鏤空區與所述第三柵極條,所述第三柵極條與所述第三矩形區連接,所述第三矩形區的第二側設置有依次交替排列的所述鏤空區與所述第三柵極條,所述第一側與所述第二側位置相對;所述功率半導體器件還包括絕緣層與柵極接觸孔,所述絕緣層位于所述第三矩形區的上方,所述柵極接觸孔貫穿所述絕緣層,并與所述第三矩形區接觸,所述第三矩形區的寬度小于所述第五矩形區的寬度,所述第三矩形區的寬度大于或等于最小允許線寬,且大于或等于柵極接觸孔的最小尺寸;或者,所述非元胞區為終端區;所述第五矩形區還包括第四矩形區與多個第四柵極條,所述鏤空區包括多個第一鏤空部與第二鏤空部;所述第四柵極條與所述第一鏤空部位于所述第四矩形區在靠近所述元胞區的一側,并交替排列,所述第四柵極條與所述第四矩形區連接;所述第二鏤空部位于所述第四矩形區在遠離所述元胞區的一側,所述第四柵極條與所述第一鏤空部沿所述第四矩形區的寬度方向延伸,所述第二鏤空部沿所述第四矩形區的長度方向延伸;所述功率半導體器件還包括絕緣層與柵極接觸孔,所述絕緣層位于所述第四矩形區的上方,所述柵極接觸孔貫穿所述絕緣層,并與所述第四矩形區接觸,所述第四矩形區的寬度大于或等于最小允許線寬,且大于或等于柵極接觸孔的最小尺寸。
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