季華實驗室吳進獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉季華實驗室申請的專利一種分子束外延設備及垂直腔面激光器生長方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119900079B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-20發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510395229.8，技術領域涉及：C30B25/12；該發明授權一種分子束外延設備及垂直腔面激光器生長方法是由吳進;肖永能;郭可升;張皓林;胡強設計研發完成，并于2025-03-31向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種分子束外延設備及垂直腔面激光器生長方法在說明書摘要公布了：本申請屬于分子束外延設備領域，公開了一種分子束外延設備及垂直腔面激光器生長方法，通過在同一托盤上同時生長正式產品和測試結構，并使用遮擋裝置控制測試結構的生長，解決了現有技術中需要單獨生長測試結構或復雜處理正式產品的問題，具有節省時間和源料、提高生長參數控制精度、便于問題定位的優點。
本發明授權一種分子束外延設備及垂直腔面激光器生長方法在權利要求書中公布了：1.一種分子束外延設備，包括生長室，其特征在于，還包括：托盤（1），其包括產品區（101）和測試區（102），所述產品區（101）中設置有至少一個第一定位槽（103），所述第一定位槽（103）用于定位放置第一襯底，所述第一襯底用于生長正式產品，所述測試區（102）中設置有至少一個第二定位槽（104），所述第二定位槽（104）用于定位放置第二襯底，所述第二襯底用于生長測試結構；所述測試結構與所述正式產品的部分生長結構相同；加熱器（2），設置在所述托盤（1）下側，并用于加熱所述托盤（1）；遮擋裝置，能夠遮擋和敞開所述第二定位槽（104），并用于在生長過程中適時遮擋所述第二定位槽（104），以使所述第二定位槽（104）中的第二襯底上形成所述測試結構；所述加熱器（2）包括用于加熱所述產品區（101）的第一加熱區（201）以及用于加熱所述測試區（102）的第二加熱區（202）；所述第一加熱區（201）和所述第二加熱區（202）的加熱功率能夠獨立調節。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人季華實驗室，其通訊地址為：528200 廣東省佛山市南海區桂城街道環島南路28號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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