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龍圖騰網獲悉南昌大學申請的專利一種半導體單晶薄膜及其制備方法和光電探測器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119913613B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-20發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510386793.3，技術領域涉及：H10F77/12；該發明授權一種半導體單晶薄膜及其制備方法和光電探測器是由王啟勝;郭博文設計研發完成，并于2025-03-31向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種半導體單晶薄膜及其制備方法和光電探測器在說明書摘要公布了：本發明公開了一種半導體單晶薄膜及其制備方法和光電探測器，涉及光電探測器技術領域。半導體單晶薄膜包括襯底、PbS緩沖層和半導體單晶層；PbS緩沖層是以生長在基片表面的PbS單晶塊層為原料，在襯底表面連續生長而形成。本發明的有益效果在于利用PbS作為緩沖層晶格匹配生長高質量、單晶性優秀的半導體薄膜，同時利用化學氣相沉積過程中管式爐加熱不均勻產生的溫度梯度，實現PbS緩沖層和半導體單晶層的連續生長，有效減少升溫時間、降低成本，同時避免了多次轉移導致的界面污染和缺陷引入，顯著提高了薄膜的質量和性能。基于此技術制備的光電探測器，具有更高的靈敏度，可廣泛應用于紅外探測等領域。

本發明授權一種半導體單晶薄膜及其制備方法和光電探測器在權利要求書中公布了：1.一種半導體單晶薄膜，其特征在于，包括襯底、生長在所述襯底上的PbS緩沖層以及生長在所述PbS緩沖層上的半導體單晶層；所述PbS緩沖層是以PbS單晶塊層為原料，在所述襯底表面連續生長而形成；所述PbS單晶塊層的厚度為1微米-10微米，所述PbS緩沖層的厚度為5納米-50納米；所述半導體單晶層的材料為具有面心立方晶體結構的半導體材料；所述半導體單晶層的厚度為0.5微米~1微米；所述半導體單晶層為SeSn單晶層和PbSnTe單晶層中的至少一種；所述襯底為鈦酸鍶；所述半導體單晶薄膜的制備方法，包括以下步驟：S1、通過物理氣相沉積法或者化學氣相沉積法在基片表面生長PbS單晶塊層，得到生長有PbS單晶塊層的基片；S2、沿著載氣的流動方向，在化學氣相沉積設備中依次放置制備半導體單晶層的原料、所述生長有PbS單晶塊層的基片、襯底，控制加熱溫度，所述PbS單晶塊層形成的蒸汽由載氣輸送至所述襯底表面形成PbS緩沖層，然后所述制備半導體單晶層的原料形成的蒸汽由載氣輸送至所述PbS緩沖層表面形成半導體單晶層。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人南昌大學，其通訊地址為：330000 江西省南昌市紅谷灘區學府大道999號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。