買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網獲悉蘇州晶歌半導體有限公司申請的專利雙色紅外探測器及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112786731B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-07-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110103882.4，技術領域涉及：H10F30/21；該發明授權雙色紅外探測器及其制作方法是由黃勇;張立群設計研發完成，并于2021-01-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本雙色紅外探測器及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種雙色紅外探測器，其包括層疊設置的中波長紅外探測器和長波長紅外探測器，所述中波長紅外探測器的中波通道吸收層為P型InAsInAsSb超晶格或P型InAsPInAsSb超晶格，所述長波長紅外探測器的長波通道吸收層為P型InAsGaSb超晶格，所述中波長紅外探測器的中波通道勢壘層和所述長波長紅外探測器的長波通道勢壘層均為N型InPSbInAs超晶格。本發明還公開了一種雙色紅外探測器的制作方法。本發明的雙色紅外探測器的中波通道吸收層采用了InAsInAsSb或InAsPInAsSb超晶格，長波通道吸收層采用了InAsGaSb超晶格，如此保證了各波段器件的最佳性能。

本發明授權雙色紅外探測器及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種雙色紅外探測器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在襯底上制作形成層疊的中波長紅外探測器和長波長紅外探測器； 其中，在襯底上制作形成層疊的中波長紅外探測器和長波長紅外探測器的方法包括以下步驟： 步驟一、利用P型InAsInAsSb超晶格或P型InAsPInAsSb超晶格在襯底上制作形成中波通道接觸層； 步驟二、利用P型InAsInAsSb超晶格或P型InAsPInAsSb超晶格在所述中波通道接觸層上制作形成中波通道吸收層； 步驟三、利用N型InPSbInAs超晶格在所述中波通道吸收層上制作形成中波通道勢壘層； 步驟四、利用N型InPSbInAs超晶格在所述中波通道勢壘層上制作形成中波通道連接層； 步驟五、利用N型InPSbInAs超晶格在中波通道連接層上制作形成長波通道連接層； 步驟六、利用N型InPSbInAs超晶格在所述長波通道連接層上制作形成長波通道勢壘層； 步驟七、利用P型InAsGaSb超晶格在所述長波通道勢壘層上制作形成長波通道吸收層； 步驟八、利用P型InAsGaSb超晶格在所述長波通道吸收層上制作形成長波通道接觸層； 步驟九、在所述中波通道接觸層上制作形成第一電極，且在所述長波通道接觸層上制作形成第二電極。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州晶歌半導體有限公司，其通訊地址為：215000 江蘇省蘇州市蘇州工業園區金雞湖大道99號蘇州納米城20號樓3層300-44工位（集群登記）；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。