東京毅力科創株式會社淺原玄德獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉東京毅力科創株式會社申請的專利等離子體處理裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112863986B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-07-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011222029.6，技術領域涉及：H01J37/32；該發明授權等離子體處理裝置是由淺原玄德設計研發完成，并于2020-11-05向國家知識產權局提交的專利申請。
本等離子體處理裝置在說明書摘要公布了：本發明涉及等離子體處理裝置。提供能夠縮短在更換消耗構件時直到工藝穩定化為止的時間的等離子體處理裝置。等離子體處理裝置具備：載置臺，其用于載置基板；腔室，其收納所述載置臺；氣體供給部，其向所述腔室內供給處理氣體；等離子體生成部，其在所述腔室內生成等離子體；消耗構件，其配置在生成所述等離子體的空間，被所述等離子體消耗；以及控制部，所述消耗構件具有：基部構件，其由包含氧元素的材料形成；以及蓋構件，其由不包含氧元素的材料形成，所述基部構件的暴露于生成所述等離子體的空間的表面的至少一部分被所述蓋構件覆蓋。
本發明授權等離子體處理裝置在權利要求書中公布了：1.一種等離子體處理裝置，其中， 該等離子體處理裝置具備： 載置臺，其用于載置基板； 腔室，其收納所述載置臺； 氣體供給部，其向所述腔室內供給處理氣體； 等離子體生成部，其在所述腔室內生成等離子體； 消耗構件，其配置在生成所述等離子體的空間，被所述等離子體消耗；以及 控制部， 所述消耗構件具有： 基部構件，其由包含氧元素的材料形成；以及 蓋構件，其由不包含氧元素的材料形成， 所述基部構件的暴露于生成所述等離子體的空間的表面的至少一部分被所述蓋構件覆蓋， 所述消耗構件具有： 第1區域，其是在對所述基板實施等離子體處理時的反應副產物的蝕刻速率比所述反應副產物的沉積速率高的區域；以及 第2區域，其是所述反應副產物的蝕刻速率比所述反應副產物的沉積速率低的區域， 在所述第1區域，所述基部構件的至少一部分暴露。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人東京毅力科創株式會社，其通訊地址為：日本東京都；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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