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  • 本申請公開了一種銅襯修復裝置，屬于管道焊接技術領域。所述裝置包括：底座、動力件、轉動件、夾緊機構、刀具調節(jié)機構和銑削機構；所述轉動件可轉動地設置在所述底座上，所述刀具調節(jié)機構固定在所述底座上，所述動力件設置在所述底座的一側；所述夾緊機構固定...
  • 本發(fā)明涉及一種基于約束聚焦的定向灰盒模糊測試方法，屬于網(wǎng)絡安全技術領域。本發(fā)明能夠減少數(shù)據(jù)流分析所需跟蹤的信息，通過約束過濾和聚焦減少數(shù)據(jù)流信息。在定向灰盒模糊測試中通過約束過濾和聚焦降低了數(shù)據(jù)流分析的開銷，簡化了數(shù)據(jù)流跟蹤過程，并避免了人...
  • 本公開提供了一種數(shù)據(jù)查詢方法、裝置、電子設備及存儲介質。其中，該方法包括：獲取問題語句；根據(jù)預先建立的生成式模型對問題語句中的圖譜信息進行識別，并將識別的圖譜信息按照預設格式進行組合，得到結構化文本表示的圖譜信息；圖譜信息至少包括實體信息和...
  • 本發(fā)明實施例提供一種有害語料挖掘方法，該方法包括：S1、獲取第一有害語料種子樣本以及語料數(shù)據(jù)集；S2、基于第一有害語料種子樣本在語料數(shù)據(jù)集中進行文本相似度檢索，得到潛在有害語料樣本集；S3、通過預設的語義特征分類模型對潛在有害語料樣本集中各...
  • 本申請公開了一種基于生成式預訓練GPT模型的標注優(yōu)化方法及裝置，涉及人工智能技術領域，其中，該方法包括：使用標注好的第一文本數(shù)據(jù)訓練具有N個預設類別的初始分類模型(GPT模型)得到中間分類模型；將待標注的第二文本數(shù)據(jù)輸入中間分類模型得到中間...
  • 本發(fā)明提供了一種半導體器件終端結構的刻蝕方法，先在SiC晶圓表面沉積兩層厚度不同、致密度不同的氧化硅掩膜，然后再通過調整刻蝕工藝參數(shù)刻蝕SiC晶圓，主要是向反應腔室內通入SF6、O2作為刻蝕氣體同...
  • 本發(fā)明提供一種分離柵半導體器件的制作方法，包括以下步驟：提供一具有背封層的晶圓，背封層包括依次疊加的內層多晶硅層、中層氧化層與外層多晶硅層；從晶圓正面形成溝槽；形成犧牲氧化層于溝槽內壁，并采用濕法蝕刻去除犧牲氧化層；形成溝槽柵結構于溝槽中，...
  • 本發(fā)明公開了一種半導體結構及其制備方法，半導體結構包括：襯底；位于襯底上的溝道結構，溝道結構包括依次形成于襯底上的溝道層和勢壘層，溝道結構包括柵極區(qū)域，以及位于柵極區(qū)域兩側的源極區(qū)域與漏極區(qū)域；位于源極區(qū)域和漏極區(qū)域內的第一凹槽，第一凹槽至...
  • 本申請?zhí)峁┮环N集成電路及其制備方法、電子設備，涉及電子技術領域，可解決集成電路中電子元件實現(xiàn)歐姆接觸的金屬硅化物的電阻阻值隨尺寸減小而增大的問題。該集成電路包括：基底、電子元件、連接部、二氧化硅層；電子元件設于基底上，并包括接觸部，接觸部的...
  • 一種MOSFET芯片、晶體管、電源和電子設備，該MOSFET芯片包括柵極焊盤、至少兩條柵極總線和至少兩個原胞區(qū)域，至少兩個原胞區(qū)域中的每個原胞區(qū)域包括至少一個原胞單元。至少兩條柵極總線中的每條柵極總線與至少兩個原胞區(qū)域中不同的原胞區(qū)域連接，...
  • 本發(fā)明實施例提供了一種IBC電池及其制備方法，其中，本發(fā)明實施例通過在原硅區(qū)域形成含硼硅涂層并進行激光摻雜處理，即可以對該原硅區(qū)域進行高濃度硼摻雜而形成p型摻雜區(qū)，避免了采用傳統(tǒng)管式硼源的摻雜方式帶來的副作用，提升了電池的轉換效率。
  • 本申請涉及一種外延片及其制作方法、發(fā)光芯片，外延片包括襯底；設于所述襯底上的成核層；以及設于所述成核層上的三維過渡層，所述三維過渡層包括至少一個三維過渡子層，所述三維過渡子層包括依次周期性層疊的第一晶向結晶層、第一切換層、第一保持層；所述第...
  • 本申請公開了一種顯示芯片的制作方法、顯示芯片及基底結構，屬于半導體技術領域。所述方法包括：形成基底結構；所述基底結構包括襯底，以及位于所述襯底一側的二維材料層；在所述二維材料層背離所述襯底的一側形成像素單元，所述像素單元包括依次設置在所述二...
  • 本申請公開了一種顯示芯片及制作方法，屬于半導體技術領域。所述顯示芯片包括：像素單元，所述像素單元包括依次設置的第一半導體層、量子阱發(fā)光層和第二半導體層；所述第一半導體層和所述第二半導體層中的一者為n型半導體層，另一者為p型半導體層；其中，在...
  • 本申請涉及一種發(fā)光模組的制作方法、發(fā)光模組和顯示裝置。發(fā)光模組的制作方法包括提供電路基板和發(fā)光器件，發(fā)光器件包括發(fā)光芯片以及將發(fā)光芯片封裝的封裝層；將發(fā)光器件設于電路基板上；軟化封裝層，以使封裝層流至電路基板上；以及固化封裝層以將電路基板和...
  • 本發(fā)明實施例涉及一種基于上下文的問答處理方法和裝置，所述方法包括：接收上下文文本、問題文本和答案優(yōu)選數(shù)量作為對應的第一上下文、第一問題和第一優(yōu)選數(shù)量；將第一上下文和第一問題輸入問答模型，由問答模型根據(jù)第一上下文對第一問題的答案進行預測得到對...
  • 本發(fā)明實施例涉及一種檢索增強生成模型的處理方法和裝置，所述方法包括：檢索增強生成模型接收用戶輸入的第一文本；基于預設的文本切割規(guī)則對第一文本進行切割得到對應的第一文本片段序列X{xi}；根據(jù)各個第一文本片段x...
  • 本公開的實施例公開了信息發(fā)送方法、裝置、設備、計算機可讀介質和程序產品。該方法的一具體實施方式包括：獲取針對目標預約對象的預約結果；響應于確定該預約結果表征與該目標預約對象已互相溝通，獲取針對該目標預約對象的溝通數(shù)據(jù)；對該溝通數(shù)據(jù)進行數(shù)據(jù)指...
  • 本發(fā)明公開了一種肖特基二極管以及制備方法，該肖特基二極管包括：襯底；異質結構，異質結構包括整面異質結和多個條形異質結，整面異質結位于襯底上，多個條形異質結位于整面異質結遠離襯底的表面，且相鄰兩個條形異質結間隔排布；陽極位于整面異質結遠離襯底...
  • 提供一種電子裝置。電子裝置包括基板、第一絕緣層、半導體氧化物層、第二絕緣層與門極電極。第一絕緣層設置于基板上。半導體氧化物層設置于第一絕緣層上，且具有第一部分以及相鄰第一部分的第二部分。第二絕緣層設置于半導體氧化物層上。柵極電極設置于基板上...
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