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五金工具產(chǎn)品及配附件制造技術
  • 本發(fā)明公開了一種基于三明治結(jié)構的耐液態(tài)鉛鉍腐蝕材料的篩選方法及其應用。所述三明治結(jié)構外層為目標成分薄膜，夾層為鉛鉍合金膜。篩選方法為：S1.制備三明治結(jié)構復合薄膜材料；S2.復合薄膜材料液態(tài)鉛鉍原位腐蝕；S3.腐蝕后的復合薄膜材料表征，根據(jù)...
  • 本文公開了與使用固體源化學填充容器的輸送系統(tǒng)相關的系統(tǒng)和方法。輸送系統(tǒng)可以包括氣相沉積反應器、兩個或更多個填充容器，其中一個或多個可以遠離氣相沉積反應器。每個填充容器配置為在其中容納固體源化學反應物。互連管線或?qū)Ч芸梢詫庀喑练e反應器與一個...
  • 本發(fā)明提供一種降低PECVD機臺金屬離子含量的方法，提供等離子體增強型化學氣相沉積機臺；在等離子體增強型化學氣相沉積機臺的工藝腔內(nèi)壁以及工藝腔中各部件的表面，將腔體預沉積層的普通氧化層替換為具有拉伸應力的氧化層，具有拉伸應力的氧化層原子鍵的...
  • 本發(fā)明公開了一種增加模具使用壽命的鍍膜方法，包括如下步驟：1)清洗模具；2)干燥模具；3)采用磁控濺射的方法在模具表面制備DLC涂層。能夠有效的解決模具表面劃傷的問題也可以減少模具表面的氧化問題且能夠增加模具的使用壽命，大大的降低產(chǎn)品加工生...
  • 一種具有納米復合梯度結(jié)構的TiN耐磨涂層及其制備方法，本發(fā)明是要解決傳統(tǒng)TiN涂層存在結(jié)合強度不足、耐磨性欠佳等問題。制備方法：一、對基片超聲清洗；二、裝片；三、真空倉抽真空；四、等離子清洗；五、涂層預沉積；六、開啟多弧電源，分階段控制氬氣...
  • 本發(fā)明提供一種近常壓MPCVD系統(tǒng)及其應用，所述系統(tǒng)包括沉積模塊，沉積模塊包括諧振腔，諧振腔下端部中心設置有用于放置襯底的基臺，沉積模塊利用微波等離子體化學氣相沉積法在位于諧振腔內(nèi)的襯底表面沉積薄膜，所述諧振腔自上至下包括相連接的第一聚集腔...
  • 本發(fā)明公開一種熱敏感材料的低溫原子層沉積設備及方法，涉及原子層沉積技術領域，以解決現(xiàn)有技術中高溫或低溫沉積方法均會導致產(chǎn)品的良品率低的問題。設備至少包括：原子層沉積反應腔室、等離子氣體反應腔室、第一氣體通道、第二氣體通道及微天平；等離子氣體...
  • 本發(fā)明公開了一種AMB基板的制備方法，具體制備步驟如下：將陶瓷基片置于超聲波清洗機中進行表面清潔處理，隨后將其裝載于磁控濺射設備的樣品臺上。采用磁控濺射工藝，依次沉積鈦（Ti）、銅（Cu）、銀（Ag）多層薄膜，各層厚度按預定比例精確控制。隨...
  • 本發(fā)明公開一種原子層沉積用熱阱，涉及薄膜沉積技術領域，以解決對過量的前驅(qū)體源吸附易導致真空泵抽速降低的問題。熱阱包括：連通部件為具有進口端和出口端的筒狀結(jié)構，筒狀結(jié)構內(nèi)設有多個沿著筒狀結(jié)構的軸向交錯間隔排布的吸附件，相鄰兩個吸附件在與筒狀結(jié)...
  • 本發(fā)明公開了一種鍍鋅鋁合金用環(huán)保三價鉻鈍化液及其制備方法，包括以下質(zhì)量分數(shù)的原料：聚乙烯醇：1%～5%、三氧化鉻：10%～14%、68%硝酸：1.5%～3.5%、亞磷酸：8.2%～12.5%、次磷酸：2.3%～3.5%，余量為純水；所述三氧...
  • 本發(fā)明公開了一種防污染的真空紫外離化鍍膜方法及裝置，包括如下步驟：在腔體內(nèi)安裝靶材和反射鏡柱，調(diào)整反射鏡柱與零件架之間狹縫擋板的狹縫大小；將腔體內(nèi)抽真空，打開紫外光源，通過特定光路導入真空鍍膜腔室，將鍍膜腔室中的氣相粒子光致電離成為離子，提...
  • 本發(fā)明公開了一種多功能真空鍍膜儀實驗裝置，其包括用以放置真空系統(tǒng)的放置柜；放置柜的上表面設置有真空室組件；真空室組件包括由上至下的真空室上分段、真空室中分段和真空室下分段，且真空室上分段、真空室中分段和真空室下分段之間通過伸縮組件相連接；真...
  • 本申請公開了一種AlCrN涂層及其制備方法和刀具，制備方法包括如下工藝步驟：S1，清洗基體；S2，鍍膜腔室抽真空，加熱；S3，通入惰性氣體和氫氣，對基體表面清洗氫氣刻蝕；S4，停止通入氫氣，通入惰性氣體，對基體表面進行側(cè)向離子刻蝕；S5，開...
  • 一種多譜段兼容防護納米熱控薄膜及其制備方法，它涉及一種熱控復合薄膜及其制備方法。本發(fā)明要解決現(xiàn)有航天用有機熱控膜近紫外反射率不夠高，在輻照環(huán)境中性能衰退和制備流程復雜的問題。多譜段兼容防護納米熱控薄膜，它自下而上依次由有機柔性基底及氧化物層...
  • 本發(fā)明涉及蒸發(fā)器技術領域，提供一種銀溶液蒸發(fā)裝置，該銀溶液蒸發(fā)裝置包括：加熱容器、隔熱裝置與冷卻容器；加熱容器，用于盛裝銀溶液；冷卻容器，冷卻容器設有第一凹槽，第一凹槽用于容納加熱容器，隔熱裝置位于加熱容器的底部和第一凹槽之間；隔熱裝置的熱...
  • 本發(fā)明屬于晶圓級過渡金屬硫化物技術領域，涉及一種基于反應吸附外延制備二維二硫化鉬薄膜的方法，更具體的提供了一種大面積、高結(jié)晶質(zhì)量且層數(shù)可控的二維二硫化鉬制備方法，通過在放置生長襯底的樣品臺下引入循環(huán)水冷卻系統(tǒng)，可有效降低生長襯底表面的溫度，...
  • 本發(fā)明涉及銅線鍍錫設備技術領域，尤其涉及一種用于銅線加工的鍍錫設備。包括：鍍錫導引臺，所述鍍錫導引臺上安裝有安裝架，所述安裝架轉(zhuǎn)動連接有第一螺紋桿，所述第一螺紋桿螺紋連接有連接套，所述連接套限位滑動連接有滑動架，所述滑動架上固接有兩個連接框...
  • 本發(fā)明公開了一種加熱器及加熱器的制作方法，本發(fā)明提供的加熱器分為上中下層三層和支撐軸共四部分，且上層的熱導率遠大于下層和支撐軸的熱導率，使用過程中加熱電阻絲產(chǎn)生的熱量，通過下層和支撐軸傳遞速度較慢，其經(jīng)由下層和支撐軸的散失量減少；而中上層熱...
  • 本發(fā)明涉及使用熱激光蒸發(fā)(TLE)系統(tǒng)(10)的方法，該TLE系統(tǒng)(10)包括：反應室(12)，可用反應氣氛(14)填充；基板(16)，布置于反應室(12)中；一個或多個源(40)，布置于反應室(12)中，每個源(40)包括由源材料(44)...
  • 本公開總體涉及包括一個或多個含釩層的結(jié)構以及用于形成所述結(jié)構的方法和系統(tǒng)。在一些實施例中，所述結(jié)構包括使用循環(huán)沉積過程形成的第一含釩層。循環(huán)沉積過程包括在反應空間中提供襯底，使襯底的表面與釩前體接觸，以及使襯底的表面與還原劑接觸，以在襯底的...
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