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  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種顯示芯片的制作方法、顯示芯片及基底結(jié)構(gòu),屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。所述方法包括:形成基底結(jié)構(gòu);所述基底結(jié)構(gòu)包括襯底,以及位于所述襯底一側(cè)的二維材料層;在所述二維材料層背離所述襯底的一側(cè)形成像素單元,所述像素單元包括依次設(shè)置在所述二...
  • 本申請(qǐng)涉及一種外延片及其制作方法、發(fā)光芯片,外延片包括襯底;設(shè)于所述襯底上的成核層;以及設(shè)于所述成核層上的三維過(guò)渡層,所述三維過(guò)渡層包括至少一個(gè)三維過(guò)渡子層,所述三維過(guò)渡子層包括依次周期性層疊的第一晶向結(jié)晶層、第一切換層、第一保持層;所述第...
  • 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種IBC電池及其制備方法,其中,本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)在原硅區(qū)域形成含硼硅涂層并進(jìn)行激光摻雜處理,即可以對(duì)該原硅區(qū)域進(jìn)行高濃度硼摻雜而形成p型摻雜區(qū),避免了采用傳統(tǒng)管式硼源的摻雜方式帶來(lái)的副作用,提升了電池的轉(zhuǎn)換效率。
  • 一種MOSFET芯片、晶體管、電源和電子設(shè)備,該MOSFET芯片包括柵極焊盤(pán)、至少兩條柵極總線和至少兩個(gè)原胞區(qū)域,至少兩個(gè)原胞區(qū)域中的每個(gè)原胞區(qū)域包括至少一個(gè)原胞單元。至少兩條柵極總線中的每條柵極總線與至少兩個(gè)原胞區(qū)域中不同的原胞區(qū)域連接,...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N集成電路及其制備方法、電子設(shè)備,涉及電子技術(shù)領(lǐng)域,可解決集成電路中電子元件實(shí)現(xiàn)歐姆接觸的金屬硅化物的電阻阻值隨尺寸減小而增大的問(wèn)題。該集成電路包括:基底、電子元件、連接部、二氧化硅層;電子元件設(shè)于基底上,并包括接觸部,接觸部的...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法,半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括:襯底;位于襯底上的溝道結(jié)構(gòu),溝道結(jié)構(gòu)包括依次形成于襯底上的溝道層和勢(shì)壘層,溝道結(jié)構(gòu)包括柵極區(qū)域,以及位于柵極區(qū)域兩側(cè)的源極區(qū)域與漏極區(qū)域;位于源極區(qū)域和漏極區(qū)域內(nèi)的第一凹槽,第一凹槽至...
  • 本發(fā)明提供一種分離柵半導(dǎo)體器件的制作方法,包括以下步驟:提供一具有背封層的晶圓,背封層包括依次疊加的內(nèi)層多晶硅層、中層氧化層與外層多晶硅層;從晶圓正面形成溝槽;形成犧牲氧化層于溝槽內(nèi)壁,并采用濕法蝕刻去除犧牲氧化層;形成溝槽柵結(jié)構(gòu)于溝槽中,...
  • 本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)的刻蝕方法,先在SiC晶圓表面沉積兩層厚度不同、致密度不同的氧化硅掩膜,然后再通過(guò)調(diào)整刻蝕工藝參數(shù)刻蝕SiC晶圓,主要是向反應(yīng)腔室內(nèi)通入SF6、O2作為刻蝕氣體同...
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種基于生成式預(yù)訓(xùn)練GPT模型的標(biāo)注優(yōu)化方法及裝置,涉及人工智能技術(shù)領(lǐng)域,其中,該方法包括:使用標(biāo)注好的第一文本數(shù)據(jù)訓(xùn)練具有N個(gè)預(yù)設(shè)類(lèi)別的初始分類(lèi)模型(GPT模型)得到中間分類(lèi)模型;將待標(biāo)注的第二文本數(shù)據(jù)輸入中間分類(lèi)模型得到中間...
  • 本發(fā)明實(shí)施例提供一種有害語(yǔ)料挖掘方法,該方法包括:S1、獲取第一有害語(yǔ)料種子樣本以及語(yǔ)料數(shù)據(jù)集;S2、基于第一有害語(yǔ)料種子樣本在語(yǔ)料數(shù)據(jù)集中進(jìn)行文本相似度檢索,得到潛在有害語(yǔ)料樣本集;S3、通過(guò)預(yù)設(shè)的語(yǔ)義特征分類(lèi)模型對(duì)潛在有害語(yǔ)料樣本集中各...
  • 本公開(kāi)提供了一種數(shù)據(jù)查詢方法、裝置、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。其中,該方法包括:獲取問(wèn)題語(yǔ)句;根據(jù)預(yù)先建立的生成式模型對(duì)問(wèn)題語(yǔ)句中的圖譜信息進(jìn)行識(shí)別,并將識(shí)別的圖譜信息按照預(yù)設(shè)格式進(jìn)行組合,得到結(jié)構(gòu)化文本表示的圖譜信息;圖譜信息至少包括實(shí)體信息和...
  • 本發(fā)明涉及一種基于約束聚焦的定向灰盒模糊測(cè)試方法,屬于網(wǎng)絡(luò)安全技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明能夠減少數(shù)據(jù)流分析所需跟蹤的信息,通過(guò)約束過(guò)濾和聚焦減少數(shù)據(jù)流信息。在定向灰盒模糊測(cè)試中通過(guò)約束過(guò)濾和聚焦降低了數(shù)據(jù)流分析的開(kāi)銷(xiāo),簡(jiǎn)化了數(shù)據(jù)流跟蹤過(guò)程,并避免了人...
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種銅襯修復(fù)裝置,屬于管道焊接技術(shù)領(lǐng)域。所述裝置包括:底座、動(dòng)力件、轉(zhuǎn)動(dòng)件、夾緊機(jī)構(gòu)、刀具調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)和銑削機(jī)構(gòu);所述轉(zhuǎn)動(dòng)件可轉(zhuǎn)動(dòng)地設(shè)置在所述底座上,所述刀具調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)固定在所述底座上,所述動(dòng)力件設(shè)置在所述底座的一側(cè);所述夾緊機(jī)構(gòu)固定...
  • 本發(fā)明涉及戴爾根霉菌Rhizopus delemar在中藥枳實(shí)飲片炮制方法中的應(yīng)用,屬于藥物炮制領(lǐng)域。本發(fā)明炮制方法明確了發(fā)酵菌株,避免了發(fā)酵過(guò)程空氣中雜菌的干擾,確保了枳實(shí)飲片的安全性。同時(shí)優(yōu)化和確定了發(fā)酵蒸制枳實(shí)關(guān)鍵工藝參數(shù),確保了枳實(shí)...
  • 本發(fā)明涉及一種用于阿爾茲海默病治療和改善學(xué)習(xí)記憶能力障礙的腦靶向載二苯乙烯苷和丹參酮ⅡA組合脂質(zhì)體及制備方法,該組合物包含修飾因子Angiopep?2和脂質(zhì)體載體以及二苯乙烯苷、丹參酮ⅡA。利用Angiopep?2作為靶頭,采用薄膜分散與硫...
  • 本發(fā)明提供一種背照式圖像傳感器,包括:電學(xué)隔離結(jié)構(gòu),其包括從襯底的正面延伸至背面的深溝槽隔離結(jié)構(gòu)和形成于所述襯底的正面的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu),所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)位于所述深溝槽隔離結(jié)構(gòu)上方并與其相連。還提供一種背照式圖像傳感器的電學(xué)隔離結(jié)構(gòu)的形成方...
  • 本公開(kāi)涉及一種半導(dǎo)體元件的形成方法和半導(dǎo)體元件,其中的方法包括:步驟S10,提供具有平坦頂面的襯底(10),所述襯底(10)頂面形成有柵極區(qū)域(20);步驟S20,在所述柵極區(qū)域(20)的頂面形成氮化硅層(30);步驟S30,蝕刻所述氮化硅...
  • 本發(fā)明提供了一種用于車(chē)輛的集成式高壓DCDC變換器,包括第一電路和第二電路;其中,所述第一電路包括依次串聯(lián)的EMI濾波電路、逆變電路、隔離電路、整流電路、第一濾波電路,所述EMI濾波電路與高壓直流電源相連,所述第一濾波電路與第一低壓直流電源...
  • 本公開(kāi)涉及一種垂直式功率半導(dǎo)體器件及其制造方法。所述器件包括:襯底,具有彼此相對(duì)的二表面;襯底的第一表面上且彼此相鄰的第一柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極結(jié)構(gòu);第一介電層,覆蓋第一柵極結(jié)構(gòu)、第二柵極結(jié)構(gòu)和襯底的第一表面,第一介電層在第一柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極...
  • 本公開(kāi)涉及一種半導(dǎo)體元件的形成方法和半導(dǎo)體元件,其中的方法包括:步驟S10,提供硅襯底,并在硅襯底的頂面上形成堆疊結(jié)構(gòu);步驟S20,通過(guò)STI刻蝕工藝依次刻蝕堆疊結(jié)構(gòu)和硅襯底,以形成沿水平方向間隔設(shè)置的用作隔離區(qū)域的第一溝槽;步驟S40,通...
技術(shù)分類(lèi)
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