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信息存儲(chǔ)應(yīng)用技術(shù)
  • 本申請實(shí)施例公開了一種信號生成電路、方法及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，所述信號生成電路包括：時(shí)鐘模塊，用于基于標(biāo)志信號產(chǎn)生時(shí)鐘信號；控制模塊，用于根據(jù)所述時(shí)鐘信號在固定時(shí)間內(nèi)的跳變次數(shù)生成控制信號；生成模塊，分別與所述時(shí)鐘模塊和所述控制模塊連接，用于接收...
  • 本發(fā)明公開了一種處理存儲(chǔ)器模塊中有缺陷常規(guī)局部字線的方法，包括：提供一組或多組備用局部字線；利用備用控制邏輯，通過比較一個(gè)輸入地址與多個(gè)故障地址來生成多個(gè)匹配信號；利用所述備用控制邏輯，根據(jù)所述多個(gè)匹配信號來生成至少一位可分配位；利用局部字...
  • 本發(fā)明公開了一種適用于超級電容器的復(fù)合型電極及其制備方法，屬于電極材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明先通過聚合反應(yīng)將聚苯胺(PANI)均勻生長在MnHCF表面，再經(jīng)過梯度熱處理，形成了具有良好包覆結(jié)構(gòu)和優(yōu)異電化學(xué)性能的MnHCF/PANI復(fù)合材料，同時(shí)通...
  • 用于在存內(nèi)計(jì)算設(shè)備中使用的存儲(chǔ)器包括：存儲(chǔ)單元的矩陣陣列，均用于存儲(chǔ)二進(jìn)制單元信號，并且均包括：連接在第一電源電位和單元信號節(jié)點(diǎn)之間的高保持器支路，與高保持器支路并聯(lián)連接的強(qiáng)制高支路，連接在單元信號節(jié)點(diǎn)和第二電源電位之間的低保持器支路，以及...
  • 本發(fā)明提供一次性可編程器件、一次性可編程存儲(chǔ)器及存儲(chǔ)芯片，所述一次性可編程器件，包括磁隧道結(jié)和自旋軌道矩層，所述磁隧道結(jié)用于在短路情況下實(shí)現(xiàn)第一比特的一次性寫入，所述自旋軌道矩層用于在斷路的情況下實(shí)現(xiàn)第二比特的一次性寫入，所述自旋軌道矩層關(guān)...
  • 本發(fā)明提供一種軟包全碳鋰離子混合電容器及其制備方法，屬于電化學(xué)儲(chǔ)能方法技術(shù)領(lǐng)域。為全碳鋰離子電容器正負(fù)極鋰離子動(dòng)力學(xué)平衡，提高循環(huán)穩(wěn)定性，提高回收價(jià)值。本發(fā)明包括依次疊放在一個(gè)隔膜上的正極片和負(fù)極片，每個(gè)正極片的一側(cè)均設(shè)有正極極耳且均焊接為...
  • 本公開實(shí)施例公開了一種數(shù)據(jù)輸出電路，所述數(shù)據(jù)輸出電路包括：選擇電路，用于根據(jù)接收到的第一代碼選擇輸出第一控制信號，或選擇輸出第二控制信號；驅(qū)動(dòng)電路，連接所述選擇電路，所述驅(qū)動(dòng)電路用于接收第一數(shù)據(jù)信號并根據(jù)所述第一控制信號輸出第一電平，或根據(jù)...
  • 本實(shí)用新型涉及滾子生產(chǎn)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種滾子定向輸送送料管，包括沿著物料的輸送方向依次設(shè)置有進(jìn)料管、換向管以及出料管，換向管包括輸送軟管，輸送軟管的兩端均設(shè)有連接管，輸送軟管的中部設(shè)有支撐裝置，避免輸送軟管在作業(yè)時(shí)中部發(fā)生形變后導(dǎo)致...
  • 本發(fā)明提供了一種纖維素基多孔碳電極材料及其制備的超級電容器電極，纖維素基多孔碳電極材料由以下步驟制備而成：取水合肼、纖維素粉和六水合乙酸鎳加入去離子水中，超聲，均勻混合，然后將上述混合物轉(zhuǎn)移至水熱釜內(nèi)膽水熱反應(yīng)，過濾、洗滌，干燥，得到纖維素...
  • 本發(fā)明公開了一種應(yīng)用于RRAM存算電路的電流減法電路及方法，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中使用電流比較器對存算乘累加結(jié)果進(jìn)行量化操作存在量化邏輯復(fù)雜、量化周期長的問題，包括第一鉗位電路、第二鉗位電路、PMOS電流鏡電路和NMOS電流鏡電路；所述PMOS...
  • 本實(shí)用新型涉及外貿(mào)單據(jù)收納技術(shù)領(lǐng)域，提供一種外貿(mào)單據(jù)自動(dòng)存取裝置，包括柜體，柜體上設(shè)置有掃描儀、顯示屏以及控制面板，還包括：至少兩個(gè)存放盒，滑動(dòng)配合在柜體一側(cè)的開口，不同類別的外貿(mào)單據(jù)存放在不同的存放盒中；柜體上設(shè)置有第一驅(qū)動(dòng)組件，第一驅(qū)動(dòng)...
  • 本發(fā)明提供了聲學(xué)黑洞夾層梁的振動(dòng)特性分析方法，其步驟為：1)針對非連續(xù)芯體夾層梁耦合段，建立其透射矩陣T和反射矩陣R；2)利用波的迭代關(guān)系建立含一個(gè)聲學(xué)黑洞結(jié)構(gòu)的透射矩陣TABH和反射矩陣RABH...
  • 一種非易失性存儲(chǔ)器包括被劃分為塊的非易失性存儲(chǔ)器單元、連接到這些塊的位線和連接到這些塊的源極線。每個(gè)塊包括多個(gè)子塊。每個(gè)子塊包括比位線更靠近源極線的多個(gè)源極側(cè)柵極感應(yīng)漏極泄漏(“GIDL”)生成晶體管。用于每個(gè)子塊的GIDL生成晶體管可與用...
  • 本發(fā)明涉及電極材料技術(shù)領(lǐng)域，一種氮摻雜石墨烯量子點(diǎn)修飾的鐵摻雜鎳鈷氧磷化物空心納米盒電極材料，該電極材料的制備方法具體為：首先通過液相共沉淀法合成FeNiCo?PBA納米立方體前驅(qū)體；然后通過高溫磷化反應(yīng)將前驅(qū)體轉(zhuǎn)化為Fe?NiCoOP空心...
  • 本發(fā)明公開一種磁記錄系統(tǒng)、磁序?qū)懭敕椒ㄒ约皵?shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)，涉及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域，磁記錄系統(tǒng)包括磁序?qū)懭胙b置和磁記錄結(jié)構(gòu)，磁記錄結(jié)構(gòu)包括基底以及設(shè)置在基底上的層疊結(jié)構(gòu)；層疊結(jié)構(gòu)依次包括種子層和存儲(chǔ)賽道層，存儲(chǔ)賽道層包括多個(gè)連續(xù)的存儲(chǔ)賽道，各存儲(chǔ)...
  • 可以利用本文描述的技術(shù)來實(shí)現(xiàn)用于使用諸如算術(shù)編碼等壓縮技術(shù)將算術(shù)電路無損壓縮和串行化為比特流的方法和系統(tǒng)?？梢允褂盟阈g(shù)編碼來壓縮表示智能合約的算術(shù)電路，從而生成壓縮的算術(shù)電路，與否則需要存儲(chǔ)算術(shù)電路所需的計(jì)算資源相比，可以使用更少的計(jì)算資源...
  • 提供了一種存儲(chǔ)器裝置和存儲(chǔ)器裝置的操作方法。所述存儲(chǔ)器裝置包括：行解碼器，包括串聯(lián)布置的多個(gè)行解碼器塊，其中，所述多個(gè)行解碼器塊基于所述多個(gè)行解碼器塊負(fù)責(zé)的行地址被區(qū)分；修復(fù)地址存儲(chǔ)電路，包括存儲(chǔ)有第一多個(gè)故障行地址的熔絲陣列；修復(fù)控制電路...
  • 本發(fā)明公開了一種高效、低成本的竹炭基電極制備技術(shù)，通過高溫熔融熱解與化學(xué)活化相結(jié)合，利用竹子生物質(zhì)原料，基于其結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、具有較高比表面積且孔隙分布廣泛的特性，制備高穩(wěn)定性、高比表面積的多孔炭材料。通過脫灰、活化改性及電極漿料制備工藝，獲得具...
  • 本實(shí)用新型公開了一種耐高溫全鉭全密封型超級電容器，屬于電容器技術(shù)領(lǐng)域，包括鉭殼、鉭蓋以及芯包。鉭蓋上開設(shè)有正極引線孔以及負(fù)極引線孔，正極引線孔內(nèi)設(shè)置有絕緣子。芯包包括第一隔離層、第二隔離層、陽極鉭箔以及陰極鉭箔。芯包設(shè)置于鉭殼的內(nèi)部，陽極鉭...
  • 一種存儲(chǔ)器器件包括設(shè)置在襯底上方的第一存儲(chǔ)器陣列、設(shè)置在襯底上方并沿第一方向與第一存儲(chǔ)器陣列分離的第二存儲(chǔ)器陣列、以及限定在所述襯底中并介于第一存儲(chǔ)器陣列和第二存儲(chǔ)器陣列之間的帶狀單元。帶狀單元包括鄰接第一存儲(chǔ)器陣列的第一邊界、鄰接第二存儲(chǔ)...
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