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信息存儲應(yīng)用技術(shù)
  • 提供了一種設(shè)備，該設(shè)備包括：第一電源節(jié)點；第二電源節(jié)點；存儲器位單元，耦合到第二電源節(jié)點；電路，耦合到第一電源節(jié)點和第二電源節(jié)點，該電路用于在二極管連接模式下操作；以及晶體管，該晶體管并聯(lián)耦合到電路，其中晶體管能由數(shù)字信號控制，使得當(dāng)晶體管...
  • 本發(fā)明涉及一種堆疊型存儲芯片及一種芯片內(nèi)部上電方法。所述堆疊型存儲芯片包括垂向堆疊鍵合的至少兩個存儲裸芯，每個存儲裸芯包括一一對應(yīng)的多個存儲單元和多個供電單元，每個存儲單元具有獨立的內(nèi)部電源信號，每個供電單元用于獲得相應(yīng)存儲裸芯的上電信號并...
  • 本公開涉及一種用于存儲器裝置的QED移位器。存儲器裝置包含被配置成從主機裝置接收命令的命令接口。所述存儲器裝置還包含被配置成接收所述命令的命令移位器。所述命令移位器包含串聯(lián)耦合且被配置成延遲所述命令的多個級。所述命令移位器包括選擇電路系統(tǒng)，...
  • SRAM的經(jīng)寫入掩碼的鎖存器位單元包括寫入掩碼電路，該寫入掩碼電路響應(yīng)于第一寫入掩碼信號的斷言而致使寫入數(shù)據(jù)節(jié)點的值為第一值并且響應(yīng)于第二寫入掩碼信號的斷言而致使該寫入數(shù)據(jù)節(jié)點的該值具有第二值。傳輸門響應(yīng)于寫入字線信號被斷言而將該寫入數(shù)據(jù)節(jié)...
  • 一種存儲器核心電路，包括包括子單元陣列的存儲單元陣列和包括子單元陣列下方的子外圍電路的核心控制電路。子外圍電路被分成第一列邊緣區(qū)域和第二列邊緣區(qū)域以及中心區(qū)域。中心區(qū)域在第一列邊緣區(qū)域和第二列邊緣區(qū)域之間。包括多個位線感測放大器的感測放大器...
  • 本申請公開了存儲器內(nèi)建自測試系統(tǒng)，以在存儲器讀取操作期間使用參考微調(diào)來提示存儲裝置感測出所存儲的數(shù)據(jù)的值。該存儲器內(nèi)建自測試系統(tǒng)可以自動地設(shè)置用于存儲裝置的參考微調(diào)。該存儲器內(nèi)建自測試系統(tǒng)包括存儲器內(nèi)建自測試控制器，以提示存儲裝置使用用于參...
  • 本公開實施例提供一種地址轉(zhuǎn)換電路。該地址轉(zhuǎn)換電路包括：分頻電路，用于接收具有第一頻率的第一地址增加信號，處理并輸出具有第二頻率的第二地址增加信號和具有第二頻率的跳轉(zhuǎn)信號；所述跳轉(zhuǎn)信號用于指示第一地址在N個存儲體之間跳轉(zhuǎn)；地址計數(shù)器，用于接收...
  • 本發(fā)明提供一種非對稱雙柵控制單元和器件，控制單元包括依次堆疊的第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、柵氧化物和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)相互交叉設(shè)置，且具有的多數(shù)載流子類型不同；柵氧化物設(shè)置于第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的交叉點處；第一半導(dǎo)...
  • 本發(fā)明涉及鐵電存儲器和邏輯單元及操作方法。一個示例提供了存儲單元，該存儲單元包括：節(jié)點；層堆疊，其包括第一電極、連接到節(jié)點的第二電極以及設(shè)置在第一電極與第二電極之間并具有至少兩種極化狀態(tài)的可極化材料層。第一晶體管包括源極端子、漏極端子和柵極...
  • 提供了一種讀出放大器及其操作方法，所述讀出放大器用于感測并放大存儲在存儲單元中的數(shù)據(jù)，所述讀出放大器包括：第一采樣電路，所述第一采樣電路基于第一電流執(zhí)行采樣操作；第二采樣電路，所述第二采樣電路基于第二電流執(zhí)行采樣操作；以及讀出放大電路，所述...
  • 本發(fā)明提供一種存儲單元和存儲器件，存儲單元包括依次堆疊的第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、低阻硅合金化物和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)相互交叉設(shè)置，且具有的多數(shù)載流子類型不同；低阻硅合金化物設(shè)置于第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的交叉點處，分...
  • 提供一種控制裝置，減輕處理器的處理負荷。控制裝置具備：第1存儲部，其不需要刷新且具有易失性；第1處理器，其訪問第1存儲部；總線仲裁器，其對來自第1處理器的訪問請求進行調(diào)停；第1控制電路，其基于經(jīng)由總線仲裁器從第1處理器接受的訪問請求，進行第...
  • 本發(fā)明屬于出貨機技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種本式物品出貨機，包括機體，所述機體的左右兩側(cè)安裝有滑軌組件，所述滑軌組件匹配片連接有滑動組件，所述滑動組件連接有牽引電機，所述滑動組件連接有安裝座，兩個所述的安裝座之間連接有上連接桿和下連接桿，所述上連...
  • 本發(fā)明提供了一種軟件開發(fā)用高性能測試平臺，涉及軟件開發(fā)技術(shù)領(lǐng)域，通過明確測試目標(biāo)、標(biāo)準(zhǔn)化測試環(huán)境、規(guī)范測試數(shù)據(jù)管理、合理選擇性能測試工具、完善性能監(jiān)控、深入分析結(jié)果以及加強團隊協(xié)作，提高了性能測試的準(zhǔn)確性和效率。該平臺包括測試目標(biāo)設(shè)定、測試...
  • 本發(fā)明涉及存儲器技術(shù)領(lǐng)域，本發(fā)明公開了多個eflash IP并行工作的控制方法和系統(tǒng)，所述方法包括在控制電路中設(shè)計仲裁機制；控制電路利用仲裁機制對接收的外部指令操作進行仲裁機制處理，并根據(jù)處理后的結(jié)果分別對多個eflash IP進行對應(yīng)操作...
  • 本申請公開了一種告警方法、存儲介質(zhì)、電子設(shè)備及程序產(chǎn)品，涉及計算機技術(shù)領(lǐng)域，首先獲取數(shù)據(jù)請求對應(yīng)的不同系統(tǒng)層級的響應(yīng)信息；然后根據(jù)不同系統(tǒng)層級的響應(yīng)信息，確定數(shù)據(jù)請求中的超時請求，以及超時請求對應(yīng)的阻塞層級；再基于阻塞層級的響應(yīng)信息，確定超...
  • 本發(fā)明公開了一種木質(zhì)素基環(huán)氧樹脂衍生多孔碳復(fù)合電極材料及其制備方法和應(yīng)用，屬于電子材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明以木質(zhì)素磺酸鈉、對苯二酚、環(huán)氧氯丙烷為主要原料，加入間苯二胺縮聚制備木質(zhì)素基環(huán)氧樹脂聚合物，然后經(jīng)過預(yù)碳化和高溫?zé)峤猓玫侥举|(zhì)素基環(huán)氧樹脂...
  • 一種存儲器電路包括存儲器陣列，該存儲器陣列包括多個第一存儲器單元和多個第二存儲器單元，多個第一存儲器單元中的每一個被配置為存儲數(shù)據(jù)位，多個第二存儲器單元中的每一個被配置為存儲修復(fù)位；多個寄存器電路；以及耦合到多個寄存器電路的比較電路。多個寄...
  • 本公開提供了半導(dǎo)體存儲器件以及包括半導(dǎo)體存儲器件的存儲系統(tǒng)。所述半導(dǎo)體存儲器件包括：外部電阻器，所述外部電阻器位于板中；以及多個存儲器裸片，所述多個存儲器裸片安裝在所述板上并且被指定為主裸片和從裸片。所述存儲器裸片共同連接到所述外部電阻器。...
  • 一種存儲器裝置包括：存儲器單元，該存儲器單元被配置為存儲與數(shù)據(jù)狀態(tài)相對應(yīng)的閾值電壓；以及控制構(gòu)件，該控制構(gòu)件被配置為在初始編程循環(huán)期間將存儲器單元中的檢查點存儲器單元和非檢查點存儲器單元編程為檢查點狀態(tài)的驗證低電壓和驗證高電壓中的至少一者。...
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